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期刊信息/Journal information
压电与声光
压电与声光

胡少勤

双月刊

1004-2474

ydsgsipat@yahoo.com.cn

023-62919570；62919643

400060

重庆市南岸区南坪花园路14号

压电与声光/Journal Piezoelectrics & AcoustoopticsCSCD北大核心CSTPCD
查看更多>>本刊是由信息产业部电子第26研究所主办并公开发行的专业性科技刊物。全国中文核心期刊，中国科学引文数据库统计源，美国Ei数据库收录源。主要报道声表面波技术，声光与光纤技术，压电及其他功能器件，单晶、薄膜及其他功能材料，实验技术与测试方法，以及压电与声光技术等领域的科研成果、发明创造、科技述评，国外在压电、铁电、声电、声光、电光等方面的各种功能器件和陶瓷、单晶、薄膜材料等新技术、新产品、新动向等。
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    一种高可靠连体式介质滤波器设计

    魏强李鲲冯小东
    143-148页
    查看更多>>摘要：根据椭圆函数响应,采用相对介电常数为 37 的高品质因数微波介质材料,该文设计了一种低损耗、连体式四级介质滤波器.通过 1-4 谐振器之间使用级联四元组(CQ)电容加载耦合,经优化后滤波器中心频率为1 268 MHz,工作带宽为 25 MHz,插入损耗≤2.5 dB,回波损耗≥18 dB,近端带外抑制≥40 dB.根据仿真模型结构参数,优化成型和金属化工艺,制备得到的样品,通过可靠性环境试验表明,该滤波器的性能测试结果与仿真结果吻合良好.

    介质滤波器交叉耦合带外抑制可靠性

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    陶瓷介质滤波器焊接工艺技术研究

    李亚飞张钧翀龚旭李医虹...
    149-153页
    查看更多>>摘要：针对陶瓷介质滤波器装配焊接过程中出现介质胚体开裂的问题,通过对裂纹特征观察和材料物理性质分析,在金属屏蔽罩装接、印制板焊盘设计和回流焊工艺等方面进行改进.对焊接后的器件进行温度和力学等可靠性试验,产品测试合格率为 100%,破坏性物理分析(DPA)剖样观察到介质滤波器不存在开裂或微裂纹的失效隐患.结果表明,该焊接工艺能解决陶瓷介质滤波器的焊接裂纹问题,实现了较高的产品可靠性.

    介质滤波器焊接裂纹热应力可靠性

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    高Q值横向激发体声波谐振器的设计与制备

    张帅俞振一郭瑜孙宗琴...
    154-158页
    查看更多>>摘要：随着 5G移动通信时代的发展,射频前端(RF front-ends)的滤波和信号处理迫切需要高频大带宽的声学谐振器.横向激发体声波谐振器(XBAR)具有超高的工作频率和超大的机电耦合系数(k2),但其品质因数(Q)值不高,阻碍了其在射频前端中的应用.该文提出了一种基于ZY切铌酸锂(LiNbO3)的 XBAR谐振器,通过有限元(FEM)仿真对谐振器进行了优化设计,并在微机电系统(MEMS)工艺下对谐振器进行加工.该文所制备的横向激发体声波谐振器 A1 模式的谐振频率为 4.72 GHz,k2 =26.9%,Q3 dB 为 384,温度频率漂移系数为-60.5×10-6/℃.A3 模式的谐振频率为 13.5 GHz,k2 =4.4%.

    横向激发体声波谐振器(XBAR)品质因数(Q)值高频大带宽5G通信

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    杂模抑制薄膜体声波谐振器的仿真分析

    罗恩雄张必壮吴坤马晋毅...
    159-163页
    查看更多>>摘要：该文研究了电极边界阶梯结构对薄膜体声波谐振器(FBAR)杂波的影响.采用有限元仿真法讨论了阶梯结构宽度尺寸对杂波的抑制效果,结合振型分析该结构能抑制声波能量的泄露,提高器件品质因数.为了进一步验证仿真结果,实验制备了 FBAR器件.测试结果表明,当该阶梯结构凸起宽度为 3 μm,凹陷宽度为 1.5 μm时,谐振器杂波被有效抑制,反谐振频率处的品质因数约增大 100.

    薄膜体声波谐振器(FBAR)阶梯结构杂模抑制有限元

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    微波陶瓷介质滤波器成型烧结工艺可靠性研究

    李医虹李亚飞冯小东韦俊杰...
    164-170页
    查看更多>>摘要：该文从微波陶瓷材料NP37 本身出发,压制标准件,通过对密度、电性能测试及内部切片形态观测验证不同成型压力、烧结设备(气氛炉和隧道炉)、烧结温度工艺下对坯体制作性能及可靠性的影响.研究表明,在成型压力 2 000 kg、隧道炉 1 160℃烧结工艺下,坯体性能及可靠性测试结果最佳.将其用于介质滤波器的坯体制作、介质滤波器坯体的切片、扫描电镜(SEM)测试、热震试验及温度冲击试验,结果验证了此成型烧结工艺可靠性较高.结果表明,通过验证标准件成型烧结工艺指导介质滤波器生产的方法能有效地提高产品可靠性.

    陶瓷材料介质滤波器成型工艺烧结工艺可靠性

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    新型多功能厘米波频率合成器设计

    莫馁杨航穆晓华
    171-173页
    查看更多>>摘要：该文介绍了一种新型多功能厘米波频率合成器,利用锁相倍频的方式,首次将直接数字频率合成器(DDS)输出的连续波(步进 1 MHz)、常规脉冲、重频抖动、重频参差、双脉冲、捷变频信号、组变信号、二相编码和线性调频等信号搬移至 0.8～18 GHz频段,外形尺寸为 76 mm×70 mm×10 mm,体积约为传统类似频率综合器项目的 1/20,具有工作频带宽、频率高、体积小等优点.

    频率合成器线性调频二相编码宽频带小体积

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    低频小型化兰姆波谐振器的研究

    叶昶裕肖强陈正林董加和...
    174-178,183页
    查看更多>>摘要：针对低频声学器件的小型化、大带宽问题,该文基于Y切-铌酸锂压电薄膜激发了反对称 A0 兰姆波模式,并采用有限元法对 A0 模式进行了结构设计与理论分析.研究了铌酸锂切型、电极材料、金属化比及膜层厚度变化对声速和机电耦合系数等性能的影响.结果表明,特定结构下,与常规声表面波相比,A0 模式兰姆波声速较小,机电耦合系数较大,有利于低频声学滤波器小型化设计.通过研究不同结构对谐振器 A0 模式兰姆波的横向模态的影响,实现了杂波抑制.

    低频小型化谐振器兰姆波铌酸锂横向模态抑制

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    基于齿状缺陷地的宽阻带交叉耦合SIW滤波器

    佘金川吴志强王凯陈耀忠...
    179-183页
    查看更多>>摘要：提出了一种齿状缺陷地低通传输线结构,该低通传输线由多级齿状缺陷地构成,通过调节齿状缺陷地枝节长度,可以有效调节低通和阻带频率范围.利用该齿状缺陷地结构,级联交叉耦合扇形基片集成波导(SIW)滤波器,该文设计了一款高带外抑制的宽阻带滤波器,与传统 SIW带通滤波器相比,其矩形系数K40 dB =2,阻带范围大于 2 倍的中心频率,具有较好的通带和阻带选择特性.测试结果表明,滤波器的中心频率为 10.35 GHz,3 dB和 40 dB带宽分别为 507 MHz和 1.05 GHz,插入损耗优于 1.47 dB,与仿真结果基本一致.

    缺陷地结构基片集成波导交叉耦合滤波器宽阻带

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    Li、Ce掺杂对NBTa-CBN高温压电陶瓷性质的影响研究

    徐鸿飞史伟官尚义吴禹桐...
    184-190页
    查看更多>>摘要：采用传统固相反应法制备了 Ca0.5(Na0.5 Bi0.5)0.5-3x(Li0.5 Ce0.5)3xBi2 TaNb0.99 Mn0.01 O9(CNBTNM-LC100x)高居里温度(TC)压电陶瓷.研究了 Li、Ce复合离子掺杂对陶瓷结构和电学性质的影响.结果表明,随着Li、Ce掺杂量的增加,CNBTNM-LC100x 陶瓷的晶体结构趋于由正交相向四方相转变,压电常数d33 逐渐增大,当x＞0.04(x 为摩尔分数)时,d33 趋于降低.x=0.04 时,具有最优的综合电学性能,d33 约为 15.9 pC/N,600℃下直流电阻率ρ约为 5.9×105 Ω·cm,介电损耗 tan δ(1 MHz)约为 7%,TC 约为 887℃.

    压电陶瓷铋层状铁电体高居里温度Na0.5Bi2.5Ta2O9CaBi2Nb2O9

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    基于兰姆波压电谐振器的高频低相噪MEMS振荡器仿真研究

    赵颖崔向东
    191-196页
    查看更多>>摘要：发达的现代通信设备对时钟源器件提出了更高的要求,在保障频率信号稳定的同时还需要器件具备可集成、微型化等特点,微机电系统(MEMS)振荡器因其具备这些优势,已逐渐替代传统振荡器,成为电子设备中信号源的常用元器件.该文设计了一种MEMS振荡器并对其进行仿真测试,该振荡器的核心选频器件由Lamb波压电谐振器组成,在应用于振荡电路前,对设计的 MEMS 谐振器进行了仿真测试,并提出两种优化其寄生模态的方法,所得谐振器的品质因数(Q)为 1 357.5,串联谐振频率为 70.384 MHz.将优化后谐振器应用于振荡电路后,对振荡器输出信号和相位噪声进行测试,结果表明,MEMS 振荡器的输出载波频率为 70.58 MHz,相位噪声为-64.299 dBc/Hz@1 Hz及-144.209 dBc/Hz@10 kHz.

    压电谐振器寄生模态抑制低相位噪声微机电系统(MEMS)振荡器

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