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中国集成电路
中国集成电路

王永文 魏少军

月刊

1681-5289

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010-64356472

100016

北京朝阳区将台西路18号5号楼816室

中国集成电路/Journal China Integrated Circuit
查看更多>>本刊报道内容涉及半导体微电子科学与技术及其应用的各个领域，包括微电子器件与电路的基础及其设计技术、电子设计自动化、工艺技术、设备材料、封装技术、产业发展、应用技术及市场等。
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    一种用于STT-MRAM可缓解NBTI效应的灵敏放大器

    张丽
    62-66,71页
    查看更多>>摘要：自旋转移力矩磁随机存储器(STT-MRAM)是存内计算体系结构中非易失性存储器的热点器件.随着器件尺寸的减小,STT-MRAM电路性能会因为工艺电压温度的变化而退化,电路中的PMOSFET也因为负偏压温度不稳定性(NBTI)引发的退化越来越严重.为降低NBTI效应造成的PMOSFET性能退化以及工艺电压温度变化对STT-MRAM读取电路的影响,本文设计了一款包含开关器件的读取灵敏放大器,仿真结果表明所设计的灵敏放大器可有效降低NBTI对PMOSFET特性的影响,同时降低了电路对工艺变化的灵敏度.

    自旋转移力矩磁随机存储器磁隧道结灵敏放大器负偏压温度不稳定性

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    一种快速锁定的数字延迟锁相环设计

    吴晨烨徐映嵩
    67-71页
    查看更多>>摘要：在高速存储器中,需要保证输出时钟和系统输入时钟同步,所以要用到锁相功能,传统的锁相环(Phase-Locked,PLL)会有抖动累积等问题,而传统延迟锁相环(Delay-Locked Loop,DLL)由于采用延迟链结构,使其理论锁定时间较长.本文提出一种快速锁定的DLL,采用两个锁存器形成波形相位判断机,形成状态字,用以实现锁定窗口判定机制,利用时钟脉冲实现延迟链的左右双向移动,从而实现更快的锁定.仿真结果表明,本设计能够在15个周期内完成输入时钟和输出时钟的相位同步,锁定范围是200 MHz～600 MHz,最大时间抖动为50ps.

    延迟锁相环时钟高速存储器

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    一种实现失配误差整形与4倍无源增益的噪声整形SAR ADC

    林宇凡
    72-78页
    查看更多>>摘要：本文提出了一种高分辨率的完全无源的噪声整形逐次逼近型模数转换器(SAR ADC).首先,其采用了一种二阶误差反馈式失配误差整形技术(EFMES),并且使用了一种数字预测方法来恢复MES引起的信号范围损失.其次,采用了一种完全无源的噪声整形结构,实现了无源求和与4倍无源增益,对系统内热噪声与量化噪声进行整形.最后.采用了一种差分式的定制电容,大大降低了电容阵列整体面积的同时依然保有良好的线性度.该设计使用SMIC 0.18µm工艺实现,后仿真表明,在1.8V电源电压、25倍过采样率和1MS/s的采样频率下,ADC的SNDR为88.23dB,SFDR为93.67dB.功耗仅为965 μW,电路有效面积为1.95mm2.

    逐次逼近模数转换器失配误差整形定制电容噪声整形动态元件匹配

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    基于CS32A010血氧仪的解决方案

    任燕泽覃浩海
    79-83页
    查看更多>>摘要：健康是人们关注的头等大事,健康监测作为一种了解个人健康状况的手段变得越来越重要,尤其是小巧方便的携带式设备,不仅能够在医院内方便操作,在家庭中也可作为常备的健康监测设备,比如家用血氧仪、电子血压计、血糖仪等.然而如何准确测量成为医疗监护设备的核心技术难点.本文基于某型号模拟芯片设计实现了一款血氧仪,能够很好检测心率、血氧,提供患者和普通用户较为好的使用体验,并探讨分析了未来的发展方向.

    血氧仪PPG模拟芯片ADC

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    浅析影响离子注入晶圆电荷的因素

    林萍赵官源郭翠丽高瑞松...
    84-88页
    查看更多>>摘要：离子注入是微电子器件制程工艺中的一种重要的掺杂技术.然而,由于利用离子注入工艺掺入的离子带有电荷,而在注入晶圆后这些电荷会累积在晶圆的表面,大量积累在晶圆表面的电荷,可能通过已经制作在晶圆表面上的电容结构,形成电流,从而造成晶圆的栅极、栅极与半导体间的栅极氧化层的伤害.通过理论分析和多次的试验测试发现,造成晶圆表面累积电荷的因素很多,有电荷中和装置离子淋浴枪发射电子不足的原因,以及静电吸盘电源输出电压不平衡等因素导致.本文针对这些因素进行一定的理论分析和研究.

    离子淋浴枪静电吸盘静电吸盘电源靶室腔体晶圆

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    一种数模混合芯片高效量产测试技术研究

    奚留华唐彩彬张凯虹武乾文...
    89-93页
    查看更多>>摘要：以提高数模混合芯片量产测试效率为目的,基于数模混合芯片的测试参数和功能进行分析,对现有的量产测试方案进行技术优化和提升.对数字参数和模拟参数同时测试的技术方案进行优化,分别针对数字模块、模拟模块设计硬件,开发测试程序,数字模块测试SITE数提高至20 SITES同测.针对模拟模块的个性化熔丝修调方案进行优化,通过设计通用的熔丝修调阵列装置,避免重复设计熔丝修调板卡,缩短电路板(PCB)设计、制造时间.针对集成电路的测试数据进行分析,提出基于应用程序可视化基础(VBA)结合公式计算的集成电路数据筛选方法,提高集成电路测试质量.通过上述技术方案优化,数模混合芯片的量产测试效率提升了50％以上.

    数模混合芯片测试效率熔丝修调测试数据

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