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期刊信息/Journal information
中国集成电路
中国集成电路

王永文 魏少军

月刊

1681-5289

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010-64356472

100016

北京朝阳区将台西路18号5号楼816室

中国集成电路/Journal China Integrated Circuit
查看更多>>本刊报道内容涉及半导体微电子科学与技术及其应用的各个领域，包括微电子器件与电路的基础及其设计技术、电子设计自动化、工艺技术、设备材料、封装技术、产业发展、应用技术及市场等。
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    业界要闻

    1-9页
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    《集成电路产业全书》英文版荣获2024年"施普林格·自然:中国新发展奖"颁奖仪式暨新书发布会在第三十届北京国际图书博览会上举行

    10-12页
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    我国集成电路产业发展中的"内卷化"研究与应对建议

    朱晶
    13-18,56页
    查看更多>>摘要：集成电路产业作为数字经济时代的基础底座技术,既是大国竞争的战略焦点,也是我国加快发展新质生产力的关键所在.然而面对外部挑战,我国集成电路产业出现一定程度的产业内卷化倾向.规避产业内卷,是中国集成电路产业高质量发展必须正视和研究解决的重大问题.本文从产业内卷的定义与内涵入手,梳理了当前我国集成电路产业各细分领域内卷化的情况,初步分析了产生内卷的原因,并从产业要素内耗、资金投入效率、企业竞争力等方面分析了产业内卷化带来的负面影响,最后给出相关应对建议.

    集成电路内卷影响中国高质量发展竞争

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    从"智障"到"智慧":服务机器人的智能化之路

    刘于苇
    19-24页
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    集成电路光刻光源装备的发展历程

    陈润俊
    25-30页
    查看更多>>摘要：本文研究集成电路光刻光源装备的发展历程,即根据光刻设备的曝光光源的发展时间顺序,分析三代光刻光源装备,对汞灯灯源、准分子激光器以及二氧化碳(CO2)激光器进行简要概述;同时,挖掘和分析其底层光源系统、气体组成以及驱动电路,并对未来光源进行展望.

    汞灯灯源准分子激光器CO2激光器光刻光源产生

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    宁波市第三代半导体材料供应链本土化策略研究

    李继鹏洪昌盛靓瑶
    31-36页
    查看更多>>摘要：进入21世纪以来,随着对半导体材料研究的深入,氮化镓(GaN)和碳化硅(SiC)等第三代半导体材料开始崭露头角,因其具有更宽的禁带宽度、更高的导热率,更高的击穿电场、以及更强的抗辐射能力等优势,占据着市场的主导地位.为了促进宁波市第三代半导体产业的发展,增强竞争力,文章基于宁波市第三代半导体的产业现状,探析宁波市第三代半导体材料供应链本土化策略.宁波市是国家自主创新示范区,宁波市的第三代半导体材料供应链本土化示范作用对于提高我国制造业的高质量发展和核心技术自主可控具有重要意义.

    第三代半导体供应链本土化策略区域合作

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    应用于FeRAM设计的铁电电容宏模型

    王浩郭术明吴超
    37-44页
    查看更多>>摘要：本文结合实际铁电存储器的基本电路单元和读写原理,基于Preisach理论和铁电电畴矫顽电压概率密度函数一维分布近似提出了用于电路仿真的铁电电容宏模型.模型采用与spice兼容的Verilog-A语言实现,能够准确描述铁电电容的非饱和滞回特性,以及电压任意变化时的铁电电容变化.模型仿真结果与实验数据符合良好,可为铁电存储器(FeRAM)设计提供可靠的参考.

    铁电存储器铁电电容宏模型Preisach理论

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    一种高可靠性IP设计的机理研究及设计实现

    潘中平
    45-49页
    查看更多>>摘要：本文是基于一种实现高可靠性IP设计的物理机理研究,首先探究了影响高可靠性IP设计的物理机理一方面来源于电迁移EM现象造成的"硬伤",进而探讨了可用来衡量高可靠性IP的平均无故障时间MTTF的计算公式,并据此分析了对应芯片制程工艺演进的EM加剧效应.再者通过实验分析手段考察了影响高可靠性IP设计的噪声因素,界定其属于影响可靠性IP设计的"软伤",从应对软噪声的角度提出了采用不同于常规的高电压(HV)设计方案,来实现改善高标准单元库IP设计的可靠性,进而提出一种实现高可靠性IP设计的可行方案,这一方案同时具有减小漏电流效果.

    电迁移小山包(形状)阻塞物标准单元库低压差线性稳压器

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    一种高性能CMOS二级运算放大器的设计

    邓鸿添蔡佳奎徐铫峰金豫浙...
    50-56页
    查看更多>>摘要：基于0.18µm标准CMOS工艺设计了一款高性能的二级运算放大器,输入级采用pmos差分对输入的折叠式共源共栅结构,输出级采用共源级结构,两者级联实现双端输入单端输出;整个电路由带隙基准源提供稳定的偏置.在1.8V工作电压和0.9V共模电压下进行仿真,该运放静态功耗为1.37mW,开环直流增益为117.36dB,相位裕度为77.73°,单位增益带宽100.4MHz(负载电容2pF),压摆率为51.24V/μs,共模抑制比为109.41dB,负电源抑制比为123.58dB,版图面积为180μm×253.5μm.仿真结果表明本文设计的电路结构稳定,性能优越.

    折叠式共源共栅带隙基准高增益运算放大器

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    数字车钥匙安全元件(SE)产品方案应用研究

    孙明霞王延斌周永存
    57-61页
    查看更多>>摘要：数字车钥匙系统是一项新型车联网技术,此系统方案应用无线通信技术、安全密钥运算技术、安全公开密钥基础设施(PKI)体系、安全管理系统平台技术等多项安全措施,保障整体方案的安全性与机密性,保障消费者隐私性,满足整体信息安全与网络安全需求.

    数字钥匙安全证书身份认证安全存储DKMS(digitalkeymanagementsystem)

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