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期刊信息/Journal information
半导体光电
半导体光电

江永清

双月刊

1001-5868

soe@163.net

023-62806174

400060

重庆市南坪花园路14号44所内

半导体光电/Journal Semiconductor OptoelectronicsCSCD北大核心CSTPCD
查看更多>>本刊是专业技术性刊物。刊载半导体光电器件、光通信系统和光传输、光存贮、光计算、处理技术，以及摄像、传感、遥感等方面的研究成果、学术论文、学位论文和工作报告，介绍光学、光子学、量子电子学、光电子学领域的新材料、新结构、新工艺、新器件，报道国内外该领域的研究和发展方向。读者对象为半导体光电专业的科技人员和大专院校师生。
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    用于FBG解调的AWG芯片的设计、仿真与制备

    李姝锋袁配黎婷李丙祥...
    69-73页
    查看更多>>摘要：设计、仿真并制备了一种用于光纤布拉格光栅(FBG)解调的阵列波导光栅(AWG)芯片.该芯片基于SOI衬底进行制备,并在AWG的输入/输出波导、阵列波导与平板波导之间采用双刻蚀结构进行优化.经仿真,该AWG的插入损耗为1.5 dB,串扰小于-20 dB,3 dB带宽为1.5nm.优化后的AWG芯片采用深紫外光刻技术、电感耦合等离子体等技术制备.经测试,该AWG的插入损耗为3dB,串扰小于-20dB,3dB带宽为2.3 nm.搭建了基于该AWG的解调系统,解调实验结果表明,该系统在0.8 nm范围内的解调精度可达11.26 pm,波长分辨率为6 pm.

    阵列波导光栅绝缘体上硅光纤传感光纤光栅解调系统光子集成

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    铌酸锂M-Z电光强度调制器光辐射模研究

    郑帅峰刘佰畅田自君李淼淼...
    74-78页
    查看更多>>摘要：铌酸锂马赫-曾德尔(M-Z)电光强度调制器光辐射模与光纤耦合是导致芯片与光纤组件耦合失效的主要原因.采用光纤与芯片高精度耦合扫描法对光波导和光辐射模进行扫描,研究了光辐射模中心位置分布、光辐射模输出光功率随偏置电压的变化特性,以及光辐射模、光波导与光纤耦合光能量的分布特性.测得光波导在X,Y方向的有效耦合范围分别为14～15.5μm和14～16μm,光辐射模在X,Y方向的有效耦合范围分别为89～92μm和92～96 μm.根据所研究的光辐射模特性,制定了失效耦合的解决方案,解决了光辐射模耦合失效问题.

    铌酸锂电光强度调制器马赫-曾德尔光波导光辐射模耦合失效高精度耦合

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    一种用于光隔离IGBT栅极驱动的智能型LED驱动电路

    徐鉴邓光平蒲熙刘昌举...
    79-83页
    查看更多>>摘要：采用双极型工艺设计了一种智能型高速LED驱动电路,可用于光隔离IGBT栅极驱动芯片的输入驱动.该设计采用一种新型逻辑门结构来实现信号传输、故障反馈以及外部置位等功能,同时达到降低信号传输延迟时间的目的.测试结果表明,在常温条件下,LED驱动电路的输入信号传输延迟时间为70 ns,复位信号有效到故障消除的延迟时间为4.59μs.所设计的驱动电路能够满足光耦隔离IGBT栅极驱动芯片的使用要求.

    绝缘栅双极型晶体管双极型工艺光耦隔离故障反馈LED驱动电路

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    量子级联激光器热仿真与分析

    林青华张东亮王锐张程程...
    84-89页
    查看更多>>摘要：针对大功率量子级联激光器对高散热能力的迫切需求,文章通过有限元法建立了常见器件结构的二维散热模型.在设置的热沉温度为293 K、波长为8.3μm、波导宽为8μm、发热功率为12.4 W的器件模型中,研究了不同器件散热结构和封装结构对量子级联激光器的温度及热通量分布的影响,进而评价器件的散热能力.结果表明,正焊无电镀金双沟道脊器件、正焊有电镀金双沟道脊器件和倒焊器件的最高温度分别为546,409和362 K.在掩埋异质结器件中,正焊无电镀金器件、正焊有电镀金器件、倒焊器件的最高温度分别为404,401和361 K.与使用铜底座相比,使用金刚石底座的掩埋异质结倒焊器件有源区的最高温度为355 K.对模型热通量分布进行了分析,发现掩埋异质结器件的热量分布更加均匀,有源区温度更低,这表明掩埋异质结更适合高功率器件.

    量子级联激光器散热模型温度分布热通量分布

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    硫系非晶态半导体人工神经突触的可塑性

    陈直曾敏范晓燕原甜甜...
    90-95页
    查看更多>>摘要：模拟大脑中的神经突触是实现下一代计算机——类脑神经形态计算的关键一步.为了利用光子模拟神经突触的可塑性进而发展全光人工神经突触器件,文章开展了基于可控光诱导抑制效应的硫系非晶态半导体人工神经突触的实验研究.分析了材料化学组分和抽运光功率对该人工神经突触的调控作用,描述了该人工神经突触的可塑性.结果表明掺入不同杂质的硫系非晶态半导体平面波导具有不同的可控光诱导抑制过程,且抑制深度受控于抽运光功率的变化.基于这些特性,该人工神经突触展现出了配对脉冲易化功能、短程抑制功能、长程抑制功能,具有良好的可塑性.

    人工神经突触可塑性硫系非晶态半导体可控光诱导抑制效应

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    基于多模型集成算法的光纤陀螺温度补偿及实现

    仇海涛王开石海洋冯子健...
    96-100页
    查看更多>>摘要：为降低光纤陀螺因温度效应产生的零偏漂移,以基于最小二乘法的多项式补偿模型和经遗传算法优化后的BP神经网络模型(GA-BP)为基学习器,通过集成学习算法建立了光纤陀螺的温度补偿模型,并对补偿后的光纤陀螺进行在线温度补偿实验.实验结果表明,该模型在-40～+60 ℃温变环境下将光纤陀螺的全过程零偏漂移降低了 85％以上,且补偿后的启动段零偏输出均值更接近零位.

    光纤陀螺温度补偿遗传算法BP神经网络集成学习

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    高品质磷化铟多晶的HGF法合成研究

    刘京明赵有文张成龙卢伟...
    101-104页
    查看更多>>摘要：用高压水平温度梯度定向结晶技术合成了磷化铟(InP)多晶.分析了不同温度梯度对多晶配比度的影响,结果表明当温度梯度低于4 ℃/cm时,多晶呈明显富铟状态,配比度在97％以下;当温度梯度在5 ℃/cm以上时多晶致密、无铟夹杂,达到近化学配比状态,配比度达到99％以上.对多晶样品进行了霍尔测试和辉光放电质谱(GDMS)测试,合成的高配比度磷化铟多晶载流子浓度在8×1015 cm-3以下,迁移率在3 900 cm2·V-1·s-1以上,纯度达到99.999 99％以上.多晶中的杂质主要有Si,S,Fe,Cu,Zn,As等,分析了杂质的来源及其对材料性能的影响.

    磷化铟多晶水平温度梯度凝固杂质纯度

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    碲硒锌镉单晶体的垂直布里奇曼法生长与性能研究

    陈治方晨旭代轶文李含冬...
    105-110页
    查看更多>>摘要：碲锌镉(CdZnTe)是目前最重要的室温半导体核辐射探测器材料.而在CdZnTe晶格中以Se替位部分Te得到碲硒锌镉(CdZnTeSe),将使得晶格中离子键的成分增加,从而提高晶体的硬度,降低Cd空位和Te夹杂物缺陷浓度,提升材料质量.为了获得适宜于核辐射探测器制备的CdZnTeSe晶体,研究了富Te条件下CdZnTeSe晶体的垂直布里奇曼法生长,成功制备出直径为 21 mm、长度超过 70 mm 的 Cd0.9Zn0.1Te0.97Se0.03 单晶锭.所得 Cd0.9Zn0.1Te0.97Se0.03 晶体的(110)面X射线衍射摇摆半峰宽达到0.104°,而Te夹杂相的尺寸小于5μm,表明晶体具有良好结晶性.Cd0.9Zn0.1Te0.97Se0.03晶锭尾部的能带隙和红外透过率均低于晶锭的头部和中部,这可归因于Cd0.9Zn0.1Te0.97Se0.03在垂直布里奇曼法生长过程中存在潜热释放不足导致的晶体后续生长阶段的结晶性下降.而CdZnTeSe晶锭的头部和中部的电学性能指标达到了室温核辐射探测器制备要求.

    CdZnTeSe垂直布里奇曼法晶体生长结晶质量

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    聚苯胺功能化的塑料光纤传感器用于黄曲霉毒素B1浓度检测

    王志强吴才章
    111-116页
    查看更多>>摘要：为开发低成本高灵敏度黄曲霉毒素B1(AFB1)检测设备,研制了一种将聚苯胺(PAni)与塑料光纤(POF)相结合的增敏光纤免疫传感器.传感器功能化设计采用两步法,首先将PAni涂层修饰至光纤传感区,然后通过戊二醛的交联作用,将AFB1抗体分子固定于传感区.由于测量过程中抗原和抗体的免疫反应会导致POF表面折射率发生变化,从而引起探测光子数的波动,以此实现对AFB1浓度的检测.实验研究了 PAni涂层对传感器的增敏效果,结果表明PAni功能化的POF传感器增敏效果明显,且在0.01～10 μg/L AFB1浓度范围内,传感器的光子数变化量与AFB1浓度间具有线性关系,检测限为0.53μg/L,加标回收率为95.97％～113.13％,且传感器对AFB1的特异性和抗干扰性良好,满足AFB1精量化检测的需要.

    黄曲霉毒素B1塑料光纤光纤倏逝波聚苯胺

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    红外探测器芯片高可靠性键合工艺研究

    李峻光王霄乔俊李鹏...
    117-121页
    查看更多>>摘要：金丝键合工艺广泛应用于红外探测器的封装环节.实验选用25 μm金丝,基于正交试验法,根据键合拉力值确定键合的最佳工艺参数.通过优化超声压力、超声功率、超声时间及接触力等工艺参数组合,改善了键合引线的电气连接性能和连接强度,从而提高芯片系统的信号传输质量.提出的引线键合工艺参数组合适用于红外探测芯片的键合.

    金丝键合红外探测器超声功率接触力

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