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期刊信息/Journal information
电子与封装
中国电子科技集团公司第五十八研究所
电子与封装

中国电子科技集团公司第五十八研究所

王虹麟

月刊

1681-1070

ep.cetc58@163.com

0510-85860386

214035

江苏无锡市惠河路5号（208信箱）

电子与封装/Journal Electronics and Packaging
查看更多>>本刊是目前国内唯一以电子封装为主的技术刊物。
正式出版
收录年代

    超高压碳化硅N沟道IGBT器件的设计与制造

    杨晓磊李士颜赵志飞李赟...
    10-15页
    查看更多>>摘要：自主设计和制备了 一种耐压超过20 kV的超高压碳化硅(SiC)N沟道绝缘栅双极晶体管(Insulated Gate Bipolar Transistor,IGBT)器件.通过仿真设计优化了器件结构,同时结合自支撑衬底剥离技术、背面激光退火技术以及载流子寿命提升技术,成功在N型SiC衬底上制备了 SiC N沟道IGBT器件.测试结果表明,该器件阻断电压为20.08 kV时,漏电流为50μA.当栅电极施加20V电压,集电极电流为20 A时,器件的导通电压为6.0 V,此时器件的微分比导通电阻为27 mΩ·m2.该值仅为15 kV SiC金属氧化物半导体场效应晶体管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor,MOSFET)比导通电阻的1/7,充分显示出SiC N沟道IGBT器件作为双极型器件在高阻断电压、高导通电流密度等方面的突出优势.

    碳化硅N沟道IGBT超高压载流子寿命提升技术

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    基于差分翻转电压跟随器的AB类缓冲器设计

    马志寅李富华陈天昊
    33-36页
    查看更多>>摘要：为了解决传统电压缓冲器建立时间较长、功耗较大等问题,提出了一种基于差分翻转电压跟随器(Differential Flipped Voltage Follower,DFVF)的AB类缓冲放大器.电路主要由作为输入级的DFVF和基于反相器的输出级组成.与其他缓冲器相比,该电路结构简单,晶体管数量少.由于使用了 AB类的缓冲器,因此输出电流不受偏置电流的影响,并且静态电流小.采用SMIC0.18μm工艺对电路进行仿真,仿真结果表明在1.8 V电源电压、全电压摆幅下,能在0.56 μs的建立时间内驱动1nF的电容负载,同时静态电流只有5 μA,可用于液晶显示器的列驱动.

    缓冲器翻转电压跟随器建立时间AB类

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    辅助优化FPGA综合效果的测试例自动生成方法

    刘佩惠锋
    37-43页
    查看更多>>摘要：FPGA支持软件的质量极大地影响电子工程设计师的工作效率,而FPGA综合是FPGA设计流程的关键步骤,是后续所有工作的基础,极大地影响FPGA设计工具的效果.测试例自动生成技术的研究可以有效驱动FPGA设计工具的开发和质量提升.提出一种测试例自动生成方法,通过注入可控的"无关项"或"冗余项",以及可调的输入、输出和逻辑层次等参数,使得生成的测试例可以被用于测试FPGA综合中的逻辑优化策略是否达到预期,辅助优化FPGA综合效果.

    FPGA逻辑优化自动测试测试例生成

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    一种具有恒定转换速率的低压输出电路

    顾明常红黄少卿陈海涛...
    44-47页
    查看更多>>摘要：设计了一种低压输出电路,其输出波形的转化速率(Slew Rate,SR)对工艺、电压、温度(Process,Voltage,Temperature,PVT)和负载的变化不敏感.由于N型金属-氧化物-半导体(N-Metal-Oxide-Semiconductor,NMOS)具有高速和低导通电阻的优点,输出缓冲器被设计成双NMOS管串联结构.为了得到对PVT和负载不敏感的SR,在预驱动电路和输出缓冲器间引入了反馈电容.Hspice的仿真结果显示,当输入信号频率为5 MHz时,负载电容从20 pF变化到80 pF,输出的上升时间和下降时间仅仅变化了 0.6ns和1.3 ns,与传统电路相比性能提高了 257.6％.不同的PVT下,输出的上升时间和下降时间变化了 1.2ns和2.8ns,与传统电路相比性能提高了 62.4％.

    低压输出电路恒定转换速率反馈电容

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    基于硅外延片用石墨基座的温度均匀性研究

    冯永平何文俊任凯
    59-63页
    查看更多>>摘要：通过对电磁感应加热的硅外延化学气相沉积反应腔室建立理论分析模型,结合工程实验对比,研究了不同石墨材料和不同基座结构对基座表面温度均匀性的影响.结果显示,在工程中,选择合适的石墨材料、设计合适的基座结构对硅外延片电阻率均匀性有着很大的影响,但在提升产品质量的同时也要平衡经济效益.

    电磁感应石墨基座石墨材料基座结构电阻率均匀性

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    限幅低噪声放大器增益下降失效分析

    贾玉伟魏志宇冀乃一
    64-67页
    查看更多>>摘要：限幅低噪声放大器(Low Noise Amplifier,LNA)是微波收发组件中的关键部件,用于对接收的射频信号进行放大.接收增益是限幅LNA的关键指标,增益下降可导致微波收发组件功能失效.综合采用外观检查、万用表测量、X光检查、扫描电子显微镜(Scanning Electron Microscope,SEM)等分析手段对某型限幅LNA增益下降的原因进行了分析,确定了故障失效的原因.结果表明,增益下降是由于工艺装配过程PIN二极管芯片与管壳安全间距不足导致.研究结果对类似产品的生产装配、检测检验、失效分析有一定的参考意义.

    限幅低噪声放大器增益下降故障定位安全间距失效分析

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    FPGA多程序动态老炼系统设计

    季振凯谢文虎
    68-72页
    查看更多>>摘要：老炼试验可以加速FPGA老化,使FPGA快速进入失效率较低且稳定的偶然失效期,是剔除存在潜在缺陷FPGA电路的重要方法.但是随着FPGA的规模越来越大,传统的单段程序动态老炼无法实现FPGA大部分资源的逻辑翻转,电路潜在缺陷部位无法及时暴露,可能导致缺陷电路异常流出.针对单段程序动态老炼的局限性,设计了一种可循环写入多段老炼程序的多程序动态老炼硬件系统,同时针对该老炼系统开发了 FPGA老炼程序,可显著提高FPGA的老炼覆盖率.

    老炼FPGA多程序覆盖率

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    一种使用集总元件实现的P波段推挽式功率放大器

    王琪唐厚鹭贺瑾孙园成...
    73-76页
    查看更多>>摘要：采用集总元件实现了工作在400～450 MHz的巴伦结构,两输出端口的信号插损小于3.45 dB,相位差在180°±4.内;采用两个1.2 mm栅宽GaN管芯和集总元件实现了工作在400～450 MHz的推挽式功率放大器,在漏极电压28 V条件下,其连续波饱和输出功率大于37 dBm,漏极效率实现66％～73％.该功率放大器验证了集总元件巴伦在P波段实现推挽式功率放大器的可行性,为进一步将该方法应用于大功率推挽式功率放大器以实现小型化提供了依据.

    集总元件巴伦推挽式P波段小型化

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    基于SiP技术的网络测量探针芯片集成设计

    毛臻张春平潘福跃顾林...
    77-82页
    查看更多>>摘要：为了使主动网络测量探针国产化、小型化,通过分析目前CAIDA主推的最新主动探测终端工具群岛结构(Archipelago Measurement Infra-Structure,Ark)的硬件参数,并结合现有国产化裸芯片,设计了一种基于微系统技术的探针用主控系统级封装(System in Package,SiP)芯片.该探针主控SiP采用国产处理器搭配现场可编程门阵列(Field Programmable Gate Array,FGPA)的架构,集成双倍数据速率(Double Data Rate,DDR)内存颗粒和Flash等裸芯片,并选配了国产网络物理层芯片.设计完成的SiP芯片总体尺寸仅为30 mmx30 mm,最高主频为1 GHz,内存为2GB,网口扩展为千兆.采用该探针芯片的系统从芯片选型到软件实现均采用全国产化设计,应用于国内网络测量场合时安全、保密性更高.

    主动网络测量国产化裸芯片探针芯片系统级封装

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    有机有源扇出型封装技术

    郭小军欧阳邦邓立昂李思莹...
    83页
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