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期刊信息/Journal information
电子与封装
中国电子科技集团公司第五十八研究所
电子与封装

中国电子科技集团公司第五十八研究所

王虹麟

月刊

1681-1070

ep.cetc58@163.com

0510-85860386

214035

江苏无锡市惠河路5号（208信箱）

电子与封装/Journal Electronics and Packaging
查看更多>>本刊是目前国内唯一以电子封装为主的技术刊物。
正式出版
收录年代

    SiC功率器件辐照诱生缺陷实验研究进展

    杨治美高旭李芸黄铭敏...
    1-9页
    查看更多>>摘要：第三代宽禁带半导体碳化硅(SiC)功率器件在航天、航空和核工业等强辐射领域的极端环境下应用时会受到辐照损伤的影响诱生缺陷,最终导致器件性能退化或者失效.简要介绍了 SiC功率器件辐照效应发展历程和辐照效应,梳理轻离(粒)子辐照诱生缺陷与敏感参数退化的实验规律,分析总结重离子辐照SiC功率器件中一些关键技术问题,特别是不同温度辐照诱生缺陷形成机理的异同,为今后深入开展SiC肖特基二极管(Schottky Barrier Diode,SBD)的辐照诱生缺陷、器件性能退化研究及SiC相关器件的材料抗辐照性能的改善和结构优化提供实验数据和理论依据.

    碳化硅辐照诱生缺陷深能级缺陷电学性能重离子辐照

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    碳化硅器件封装进展综述及展望

    杜泽晨张一杰张文婷安运来...
    10-16页
    查看更多>>摘要：碳化硅(SiC)具有禁带宽、临界击穿场强大、热导率高、高压、高温、高频等优点.应用于硅基器件的传统封装方式寄生电感参数较大,难以匹配SiC器件的快速开关特性,同时在高温工况下封装可靠性大幅降低,为充分发挥SiC器件的优势需要改进现有的封装技术.针对上述挑战,对国内外现有的低寄生电感封装方式进行了总结.分析了现有的高温封装技术,结合新能源电力系统的发展趋势,对SiC器件封装技术进行归纳和展望.

    SiC低寄生电感混合封装3D封装平面互连双面散热高温封装

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    板间连接器低空洞真空汽相焊接技术

    邱静萍王文智李少聪毛海珂...
    17-22页
    查看更多>>摘要：混装型印制板上板间连接器通孔焊接稳定性和焊点可靠性备受瞩目,焊接工艺的设计方案层出不穷,但在实际生产中能调控焊锡量、改善空洞率、提升焊透率并投入应用的寥寥无几.以板间连接器为研究对象,采用正交试验法系统分析了焊接方式、印制板厚度、预成型焊锡环圈数等工艺参数对焊点质量的影响.通过对板间连接器焊点进行建模仿真、理论计算及金相分析验证,提出了一种可行的真空汽相焊技术与预成型焊锡环相结合的焊接板间连接器工艺方案,结果表明该方案可实现良好的焊接质量、低空洞率和高达100％的焊透率.

    板间连接器焊接工艺真空汽相焊预成型焊锡环

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    基于SSD控制器芯片测试平台转移及测试向量转换的方法

    冯文星余山周萌柳炯...
    23-30页
    查看更多>>摘要：随着集成电路测试成本的提高,将芯片从高性能的自动化测试设备(Automation Test Equipment,ATE)向低一级ATE进行转移可以节省相应的测试成本.测试平台转换过程中涉及测试程序的开发和测试向量的转换,将两个测试平台得到的测试数据进行比对,验证了转换后测试程序的有效性与准确性.基于一款高性能的28 nm固态存储硬盘(Solid State Drive,SSD)控制器,测试平台从爱德万(Advantest)的V93K转移至泰瑞达(Teradyne)的J750,同时使用Python脚本进行向量转换和测试数据的比对分析,达到了降低芯片测试成本的目的.

    ATE转移测试向量转换测试数据分析

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    3D堆叠封装热阻矩阵研究

    黄卫蒋涵张振越蒋玉齐...
    31-36页
    查看更多>>摘要：针对多芯片热阻矩阵的研究模型大多基于多芯片组件模型,多芯片为2D封装类型,而对3D芯片堆叠模型的热阻矩阵研究较少.以3D芯片堆叠模型为例,研究分析了封装器件热阻扩散、热耗合的热阻矩阵.通过改变封装器件内部芯片功率大小,利用仿真模拟计算3D封装堆叠结构的芯片结温.将热阻矩阵计算的理论结果与仿真模拟得到的芯片结温进行对比分析,验证了多层芯片堆叠封装体耦合热阻矩阵的准确性.

    热阻矩阵热耦合芯片堆叠芯片结温

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    Flash型FPGA配置方法研究

    庞立鹏蔺旭辉马金龙曹靓...
    37-42页
    查看更多>>摘要：Flash型现场可编程门阵列(Field Programmable Gate Array,FPGA)是一种新型非易失性可编程电路,其内核配置单元是Flash单元,配置过程中不需要从外部配置存储器中加载配置数据.为了研究Flash型FPGA的配置方法,设计了应用于30万门Flash型FPGA的配置电路,通过设计研究整体配置电路架构、配置单元模块和控制模块等.对整体电路擦除、编程和校验等操作流程进行验证并对整体功能进行仿真验证,整体电路配置流程和整体综合功能满足设计要求,为后期研究更大系统门规模的Flash型FPGA配置电路奠定了基础.

    Flash现场可编程门阵列配置

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    脑电信号传感检测芯片系统综述

    王梓斌刘国柱孙建辉
    43-58页
    查看更多>>摘要：低电压低频微弱脑电(Electroencephalogram,EEG)信号检测微芯片对于构建可穿戴或可佩戴的EEG检测微设备或系统非常重要.EEG传感检测微芯片可以应用于医学、神经科学以及脑机接口(Brain-Computer Interface,BCI)技术的研究.EEG传感器可以准确、灵敏、安全、可靠地实现微弱低频颅外EEG电压的感知,将感知的信号反馈到传感后调理电路;有效的传感后调理芯片系统可以对前端传感器感知的微弱小信号进行放大、带外信号滤除、噪声抑制或消除等.通过生物模数转化器把放大的模拟EEG电压转换为数字信号,对信号打包并无线发射到远处终端,EEG信号的可靠感知直接影响到EEG接收终端后续EEG算法的有效开展.由于便携可穿戴微型医疗设备或系统的迫切需要,EEG信号传感器与传感后调理芯片的设计变得越来越重要.综述了 EEG信号检测微传感器芯片系统国内外的研究进展,主要包括通过传感器即EEG电极的信号感知和传感后的EEG信号调理芯片,并对EEG传感器芯片发展进行了总结与展望.

    脑电传感器脑电调理芯片

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    基于CPLD的FPGA多重配置方法实现

    韩留军姚尧郝国锋赵参...
    59-62页
    查看更多>>摘要：对于一些复杂的、需要多种工作模式的无线通信系统,现场可编程逻辑门阵列(Field Programmable Gate Array,FPGA)的资源可能满足不了设计要求,因此提出了由复杂可编程逻辑器件(Complex Programmable Logic Device,CPLD)对FPGA进行多重配置的方法.利用CPLD把上位机发送过来的不同配置文件存储到外挂Flash中,FPGA根据不同的需求加载不同的配置文件.该方法提高了 FPGA的资源利用率,使得FPGA的程序更新更加方便,增加了系统运行的灵活性.

    复杂可编程逻辑器件现场可编程逻辑门阵列多重配置

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    一种基于扩展汉明码的动态纠错机制

    陈天培吴校生强小燕
    63-67页
    查看更多>>摘要：错误纠正码(Error Correction Code,ECC)是解决存储器数据出现一位或两位错误的有效手段,然而过于复杂的编码方式将降低读写性能.为解决该问题,提出了一种基于扩展汉明码的动态纠错机制.利用扩展汉明码的奇偶校验位对检错模块进行了优化,能够监测错误发生的频率,并可动态切换进行扩展汉明码校验与奇偶校验.运用Verilog硬件描述语言实现了该机制并进行了仿真分析.分析结果表明,使用该机制与使用扩展汉明码校验相比,能够有效降低路径延时与动态功耗.

    错误纠正码动态纠错机制扩展汉明码路径延时动态功耗

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    一种应用于高精度流水线ADC的差分参考电压电路

    池哲涵黎飞刘颖异唐旭升...
    68-72页
    查看更多>>摘要：设计了一种应用于18位20 MS/s流水线模数转换器(Analog-to-Digital Converter,ADC)的参考电压电路,电路采用源级推挽输出与电压负反馈结构的输出缓冲器,该输出缓冲器具有输出阻抗小、驱动能力高的特点.整体ADC电路采用180nm 1P6M5 VCMOS工艺实现,尺寸为2.50 mmx 5.00mm,其中,参考电压电路尺寸为0.20mm×1.05 mm.仿真结果表明,参考电压电路中带隙基准电压在-40～90℃内温度系数为5.526×10-6/℃,应用所设计的参考电压电路,整体ADC在20 MHz采样频率下输入859.375 kHz信号,有效位数(Effective Number of Bits,ENOB)为16.88 bit,信噪比(Signal to Noise Ratio,SNR)为 103.41 dB,无杂散动态范围(Spurious Free Dynamic Range,SFDR)为110.69 dB.

    流水线ADC参考电压输出缓冲器

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