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期刊信息/Journal information
真空
真空

陆国柱

双月刊

1002-0322

zkzk@chinajournal.net.cn

024-24110136

110042

辽宁省沈阳市万柳塘路2号

真空/Journal Vacuum北大核心CSTPCD
查看更多>>本杂志是中国真空界主要杂志之一。自1994年真空杂志转换经营机制以来，由我国真空企业界实力雄厚的厂家与杂志社联办成立董事会，并由真空学术界著名学者组成编委会。社会效益与经济效益与日俱增，在国内真空界享有盛誉。自1989年公开发行以来，被美国、英国、德国、日本、意大利、韩国以及港澳地区越来越多的海外学者所关注。
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    复合分子泵涡轮级参数对氦质谱检漏仪性能的影响研究

    李博侯德峰王晓冬巴德纯...
    1-7页
    查看更多>>摘要：复合分子泵作为氦质谱检漏仪的重要部件,其自身的几何参数在影响抽气性能的同时,也影响着检漏仪的检测性能.本文基于分子泵抽气基本理论,建立复合分子泵涡轮级的计算模型,通过改变叶片倾角、叶片数目、叶片高度和叶片厚度,分别计算了复合分子泵涡轮级对空气和氦气的抽气性能,研究了复合分子泵涡轮级参数对氦质谱检漏仪检测性能的影响.结果表明:减小叶片倾角、增加叶片数目和叶片高度、增大叶片厚度有利于氦质谱检漏仪检测灵敏度的提高;综合考虑分子泵的抽气性能和氦质谱仪的检测灵敏度,选取叶片倾角25°,涡轮叶片数目25个到30个,叶片高度3mm,叶片厚度0.6mm到0.8mm最优.

    复合分子泵涡轮级叶片参数氦质谱检漏仪检测灵敏度

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    载人航天器舱门检漏技术研究

    张海峰孙立臣汪力刘恩均...
    8-11页
    查看更多>>摘要：载人航天器舱门是航天员及货物进出航天器密封舱的通道,一旦发生泄漏,将影响载人航天器正常运行,甚至威胁航天员生命安全.为了确保载人航天器舱门的密封性能,必须要在发射前进行严格的检漏测试.针对载人航天器舱门的特殊结构,本文主要介绍了用于门体与门框密封圈、舱门整体、舱门部件及局部的检漏方法,形成了一套适用于载人航天器舱门研制过程的检漏技术,可以满足神舟飞船、空间站、登月舱等载人航天器舱门检漏要求.

    载人航天器舱门检漏技术

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    质谱仪定量分析微量气体D2的校准因子研究

    李海洋张占文刘梅芳栾旭...
    12-17页
    查看更多>>摘要：通过在质谱仪进气管路上安装的标定腔室与真空管路,实现了对与微球内气体含量相同范围的微量气体的获取.对质谱仪定量分析微量气体时的精密度及被测量氘气的压力对D2校准因子的影响进行了研究.结果表明:该四极质谱仪的精密度较高,不同压力下10次重复测量实验数据的相对标准偏差均小于0.004;校准后的一个月内质谱仪具有较高稳定性,其定量分析误差低于1％,准确度较高;D2和Ar的浓度校准因子在一年内的变化不超过3％,而D2的压力校准因子在一年内的变化超过8％;D2的压力校准因子 η 与被测量氘气的压力P1成反比,且 η 与logP1存在较好的线性关系,这种线性关系在半年内具有较高的稳定性.

    四极质谱校准因子定量分析微球微量气体

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    弹载速调管微小漏孔的检测方法

    宋艳鹏强博韩永超唐榕...
    18-21页
    查看更多>>摘要：本文详细介绍了弹载速调管微小漏孔检测的方法和原理.首先明确了加压检测方法流程,对一些关键参数(如氦气存储压力、存储时间,器件内真空度表征方法等)进行了理论计算与分析,得出了具有指导意义的结果;然后对加压检测设备的主要组成部分进行了详细介绍;最后利用研制好的设备进行了弹载速调管的高压存储实验,结果表明该方法可以高效剔除不合格器件,达到了预期要求,客户反馈良好.

    速调管微小漏孔存储加压检测

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    CSNSⅡ离子源及LEBT真空系统

    刘顺明宋洪王鹏程刘佳明...
    22-27页
    查看更多>>摘要：CSNSⅡ加速器的束流打靶功率从100kW升级至500kW,要求直线加速器平均束流功率从目前的5kW提高到25kW,脉冲束流强度从目前的12.5mA提高到大于40mA.为此,需将当前使用的潘宁(Penning)型表面负氢离子源更改为射频(RF)负氢离子源.考虑到切束器的切束比范围在35％～50％,LEBT通过率可达到75％～95％,故RF负氢离子源需要产生至少50mA的负氢离子束.负氢离子源氢气用量也需要由目前的10sccm提高至不低于20sccm,同时要求LEBT第二腔真空度≤5.0×10-3Pa.基于此,本文对离子源及LEBT真空系统进行了改造,提高了LEBT的束流通过率.并且对比了国内外两款磁悬浮分子泵对氢气的抽速,为后期分子泵的选型以及国产化替代提供一定的参考.

    RF负氢离子源LEBT真空系统分子泵系统改造氢气抽速

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    双螺杆真空泵内压缩转子结构研究现状

    刘明昆李丹童邢子文
    28-32页
    查看更多>>摘要：螺杆真空泵被广泛应用于半导体、镀膜、化工等行业,是一种理想的干式真空泵.其中内压缩式螺杆真空泵在气体输送阶段就开始对工作气体进行压缩,具有一系列突出优点.本文将内压缩式螺杆转子按结构分为变螺距与变截面两种,分别介绍了其数学模型设计、性能分析方法、动平衡计算等方面的研究进展,为内压缩式螺杆转子的理论研究提供了参考.

    螺杆真空泵内压缩变螺距变截面

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    稀薄气体过渡流中NS/DSMC耦合计算方法的研究进展

    刘万锁岳向吉蔺增
    33-40页
    查看更多>>摘要：通过NS和DSMC两种方法的联合计算可以求解过渡流,NS/DSMC耦合方法同时包含NS方法计算效率与DSMC方法的计算精度优势.本文详细介绍了耦合方法发展中关键技术的原理,讨论了耦合方法在空间羽流研究中的应用进展,说明了计算域划分方法的不足.并就临近空间飞行器绕流方面的耦合技术应用进行了分析,提出耦合计算结果与实验结果的误差可能由DSMC统计散射造成,其可以通过累计统计方式消除.此外,还讨论了采用两相流模型的NS/DSMC耦合方法在MEMS领域的应用.最后就耦合方法在真空领域的应用和未来耦合算法的研究方向进行了展望.

    NS/DSMC耦合计算过渡流真空羽流临近空间

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    NiCrAlYSi粘结层合金相结构与性能研究

    常振东张婧牟仁德刘德林...
    41-47页
    查看更多>>摘要：粘结层合金的热膨胀性和抗高温氧化性与其相结构紧密相关,直接决定着热障涂层的可靠性与涡轮叶片的服役寿命.本文将热力学计算与实验研究相结合,综合分析了NiCrAlYSi粘结层合金的平衡相结构,非平衡条件下的显微组织、元素分布,热膨胀系数随温度的变化规律,以及1100℃等温氧化行为.结果表明,合金室温平衡相组成以FCC_L12结构的γ′-Ni3Al为主,还有少量BCC_B2结构的 α-Cr和β-NiAl相;当温度达到870℃以上时,合金由 β-NiAl和 γ-Ni相组成.非平衡状态下,合金基体相为γ-Ni+β-NiAl,其中 γ-Ni被 γ′-Ni3Al相包裹,β-NiAl相上分布着 α-Cr和 γ′-Ni3Al相;元素Si主要固溶在γ′-Ni3Al相中,分布于晶界处;稀土元素Y以Ni5Y形式存在为主,亦在晶界处富集.随着温度由100℃升高至1200℃,热膨胀系数由(11.9±0.17)×10-6K-1增大到(20.5±0.13)×10-6K-1,且当温度达到900℃以上时热膨胀系数增幅显著.1100℃等温氧化样品氧化膜的连续性和致密性较差,且与贫铝层之间存在明显间隙;当等温氧化时间由20h增加至100h,氧化膜厚度由(1.70±0.072)μm增大到(3.28±0.275)μm,贫铝层厚度由(7.48±0.606)μm增大到(10.67±2.654)μm;平均单位面积氧化增重由0.608g·m-2逐渐增加到3.623g·m-2,平均氧化速率先由0.030g·m-2·h-1减小到0.020g·m-2·h-1,后增大到0.036g·m-2·h-1,60h对应的平均氧化速率最低.

    NiCrAlYSi粘结层合金相结构热膨胀性抗氧化性

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    真空卷绕蒸发镀膜机上实现镀透明氧化铝膜的一种方法

    徐新昀朱文丽谢晋如刘强...
    48-51页
    查看更多>>摘要：本文介绍了一种以普通真空卷绕镀铝机为基础,离子注入与气相沉积薄膜相结合的离子束辅助沉积表面改性技术.通过在普通卷绕镀膜设备上增设一套辅助轰击离子源,构成离子辅助沉积系统,可以实现透明氧化铝膜的镀制.详细说明了该镀膜方法的设备结构、特点与工作原理,并指出了该镀膜方法的推广与应用前景.所用设备还可以实现镀铝膜,突破了普通镀铝机镀膜种类的单一性.该技术响应国家号召,实现了氧化铝蒸发镀膜设备的国产化.

    真空卷绕镀铝设备离子束辅助沉积氧化铝膜

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    探究直流磁控溅射下工艺参数对SiC薄膜性能的影响规律

    张健李建浩齐振华
    52-55页
    查看更多>>摘要：针对脉冲激光法和升华法制备SiC薄膜时,沉积速率比较低、薄膜厚度不均匀等问题,本文采用真空直流磁控溅射技术,利用一种高含碳量的SiC靶材,在平面玻璃衬底表面沉积SiC薄膜,通过改变直流电源功率、溅射气压,研究了不同参数对薄膜沉积速率、薄膜厚度均匀性的影响.采用台阶仪、扫描电子显微镜(SEM)、能谱仪(EDS)分别对薄膜厚度、横截面形貌和Si、C含量进行检测表征,从而得到最佳工艺参数.实验结果表明:在相同的溅射气压条件下,当溅射功率为2000W、电压为420V时,薄膜沉积速率达到15.39nm·min-1;相同的直流电源功率条件下,当溅射气压为0.8Pa时,沉积薄膜的厚度均匀性较好,变异系数在3％以内,同时薄膜沉积速率达到10.67nm·min-1;采用直流磁控溅射技术所制备的薄膜内部致密无孔洞,Si、C总含量在99％以上.

    SiC直流磁控溅射直流溅射功率溅射气压

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