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期刊信息/Journal information
真空电子技术
北京真空电子技术研究所
真空电子技术

北京真空电子技术研究所

廖复疆

双月刊

1002-8935

VETECH@163.com

010-84352012

100015

北京749信箱7分箱

真空电子技术/Journal Vacuum Electronics北大核心CSTPCD
查看更多>>本刊1959年创刊，现为双月刊，国内外公开发行。是真空电子专业协会会刊，电真空情报网网刊，中国真空电子技术领域唯一的综合技术类刊物。设有专家论坛、研究报告、研究与设计、新技术、技术交流、工艺与应用、综述等栏目。主要刊登的是真空微波器件、离子器件真空开关器件等真空电子器件；CPT、CDT、PDP等显示器件和光电器件；照明光源；真空获得、测量、控制；气体分析；表面技术；电子材料及特殊工艺等方面的文章。同时报导本行业的最新信息和成果。
正式出版
收录年代

    大长径比微通道板电子清刷实验研究

    闫保军刘术林
    1-9页
    查看更多>>摘要：电子清刷实验对于评估微通道板(Microchannel plate,MCP)的体电阻、增益、累计拾取电荷量和寿命等性能参数具有重要意义.利用电子清刷系统在5×10-5Pa真空设备内,分别对两片长径比为80∶1、孔径为6 μm、外径为25 mm的MCP进行了电子清刷实验研究,其中一片MCP表面及其通道内生长了氧化铝薄膜.通过改变清刷时间、剂量及次数和MCP工作电压,探索了电子清刷工艺.两片MCP的清刷次数、清刷总时间和累计拾取电荷量分别为21次和55次、1 134 min和4 460 min、263 mC和2 329 mC.通过测试清刷前后MCP体电阻、增益和工作电压的关系,以及增益和清刷剂量之间的关系,详细评估了清刷工艺对MCP性能参数的影响.结果表明,进行大剂量清刷时,电子枪位置与MCP之间距离太小会造成MCP在清刷过程中由于受热严重而损坏;对于传统长径比为80∶1的MCP,其经过电子清刷后的稳定体电阻值高于清刷前的体电阻值,而对于镀膜氧化铝的MCP,经过电子清刷后的稳定体电阻值低于清刷前的体电阻值;经过电子清刷后,立即测试MCP体电阻值和增益,测试结果偏小,随着等待时间的延长,体电阻和增益会逐渐升高并趋于稳定;对每次清刷结束后立即测试MCP的体电阻值进行比较,可以有效判断MCP在清刷过程中的状态是否正常;随着清刷剂量的增多,在较低的工作电压下,MCP的增益迅速降低并很快趋于稳定;镀膜MCP的累计拾取电荷量可以超过2 329 mC,其在不同工作电压下的稳定增益约为5～300.

    微通道板电子清刷累计拾取电荷量寿命

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    高增益分离打拿极电子倍增器设计

    贺峦轩陈萍李洁刘虎林...
    10-17,35页
    查看更多>>摘要：利用CST仿真软件,建立了一套高性能、双增益工作模式分离打拿极电子倍增器仿真模型,依此分析分离打拿极电子倍增器结构参数和电压分配对其增益的影响规律,在此基础上优化设计参数,完成26级分离打拿极电子倍增器设计方案.此设计方案具有模拟、计数双工作模式切换功能,以满足对不同通量的入射离子无失真探测需求,同时减小打拿极二次电子发射薄膜的无效工作时间,延长电子倍增器工作寿命.最终在负高压1 500 V和正高压1 000 V共同工作条件下,分离打拿极电子倍增器模拟输出增益为2.02 × 106,计数输出增益可以达到4×107.

    电子倍增器CST仿真结构优化高增益

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    阳极位置和尺寸对侧窗型光电倍增管性能影响的仿真研究

    杨济世李洁刘国凤邓涛...
    18-23页
    查看更多>>摘要：采用CST三维电磁仿真软件对侧窗型光电倍增管的电子倍增系统进行建模与仿真,研究了阳极位置和阳极尺寸对该系统增益、上升时间、电子渡越时间的影响,并通过相关参数的优化,提升了电子倍增系统的增益和时间特性.仿真研究发现,基于增益和时间特性的综合考虑,阳极中心位于(2.92 mm,8.99 mm)位置且阳极直径为0.6 mm时,电子倍增系统性能较优.通过阳极位置和尺寸的优化,电子倍增系统增益达7.93 × 106,增大了60.85％;上升时间达1.3 ns,基本保持不变;电子渡越时间达17.1 ns,减小了2.84％.

    光电倍增管电子倍增系统阳极位置和阳极尺寸增益上升时间电子渡越时间

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    质谱仪用电子倍增器的仿真设计与试验研究

    丁晓尘刘国凤李洁王浩东...
    24-28页
    查看更多>>摘要：介绍了电子倍增器研发中的仿真计算过程,通过仿真设计使该电子倍增器能够满足高增益、长寿命的要求.主要从电子倍增器放大性能、高温烘烤热学分析和力学分析3方面进行仿真设计,并对试制的样品进行了测试和验证,设计结果满足产品实际使用需求.

    电子倍增器仿真热学分析力学分析

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    带有KBr和CsI的微通道板对70～1 000 eV光子的相对探测效率研究

    闫保军刘术林丛晓庆林焱剑...
    29-35页
    查看更多>>摘要：深空探测、X射线天文以及其它诸多领域对软X射线到真空紫外的探测与成像具有较强的应用需求.采用孔径为5 μm、斜切角分别为12°和16°的标准型25 mm微通道板(Microchannel plate,MCP),在其输入面上分3个区域,分别蒸镀不同厚度(50、100、150 nm)和不同电极深度(0.5、2、3 D)的CsI和KBr作为反射阴极,测试了单片MCP的直流增益和工作电压的关系,研究了CsI和KBr薄膜的二次电子发射系数和入射电子能量的关系.利用陶瓷金属化并与可伐焊接成一体的管壳气密性封接到标准CF35真空法兰上,制作出多组MCP探测器,在同步辐射光源中测试MCP不同区域的相对输出光强与入射光子能量、MCP工作电压的关系,获得了CsI和KBr薄膜的优化厚度以及MCP的优化参数.研究结果表明,镀膜后的MCP对70～1000 eV光子的探测效率比裸板高;700 V工作电压下,镀膜CsI相对裸板增益最大约为2.4,镀膜KBr相对裸板增益最大约为2;推荐的镀膜厚度、电极深度和斜切角分别为100～150 nm、1.5～3D和12°.

    微通道板探测效率光子探测

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    二次电子发射对环形加速器中的电子云密度影响

    刘瑜冬王鹏程刘盛画李开玮...
    36-41,53页
    查看更多>>摘要：环形加速器中,特别是强流正离子环形加速器中由于二次电子聚集而形成的电子云效应对高流强下的加速器运行会产生至关重要的影响.环形加速器中二次电子产生的主要原因在于初始电子在束流作用下获得能量,与束流真空管道内壁发生碰撞,如果此时真空室内壁材料的二次电子产额(Secondary Electron Yield,SEY)大于1,则会在束流管道内形成二次电子倍增而逐渐积累形成电子云.文章将结合国内近几年正离子环形加速器的设计建造参数(北京正负电子对撞机升级改造工程BEPCⅡ、中国散裂中子源快循环同步加速器CSNS/RCS及下一代环形正负电子对撞机计划CEPC),通过二次电子产生的物理机制分析、理论计算及仿真模拟对其产生、运动、聚集及平衡过程进行研究,探索二次电子发射系数对电子云密度的影响,进而提出降低环形加速器中电子云密度的方法.

    电子云二次电子环形加速器北京正负电子对撞机升级改造工程中国散裂中子源

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    Furman能谱模型对空间微波部件微放电效应的影响分析

    张娜李亚峰魏焕崔万照...
    42-46页
    查看更多>>摘要：空间微波部件的微放电效应是影响航天器微波传输系统独特的瓶颈问题之一.以星载微波部件微放电阈值仿真中广泛使用的Furman模型为研究对象,以平行平板传输线为例,研究并获得了Furman模型中本征二次电子、弹性散射电子和非弹性散射电子共3类电子的二次电子能谱参量对微放电阈值的影响规律,并通过对二次电子发射系数的影响合理解释了微放电阈值的变化规律,为星载微波部件微放电阈值的精确仿真提供了规律指导.

    微波部件微放电二次电子发射二次电子能谱

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    漏极结构对平面型纳米沟道真空三极管性能影响的模拟研究

    甘露吴胜利唐文华李洁...
    47-53页
    查看更多>>摘要：近年来基于纳米沟道的真空电子器件引起越来越多的关注,其中平面型纳米沟道真空三极管因采用平面工艺、制造过程相对简单且与微电子制造工艺兼容,表现出更好的发展潜力.基于器件源电极越尖锐,局部电场越强,越易实现电子发射,相关研究工作主要集中在源电极形状及结构尺寸对器件性能的影响,针对漏电极形状对器件性能影响的研究则鲜有报道.因此,提出了一种具有圆弧型漏电极形状的真空三极管结构,仿真研究了漏电极半径和真空通道长度对器件性能的影响,结果表明,对于真空沟道为40 nm,漏极曲率半径为60 nm的器件,在给定源漏电压为10 V,栅电压为1 V的情况下,源漏电流达到10-4A.这种圆弧型漏极真空三极管相较于平坦型漏极真空三极管,由于其具有更大的电子接收面积,从而可获得更大的源漏电流,有利于提升器件性能.

    纳米沟道三极管模拟仿真场发射特性圆弧型漏极

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    E波段大范围可调衰减器理论与实验研究

    石先宝王景新孙慧王琦...
    54-58页
    查看更多>>摘要：为满足E波段行波管研制,E波段微波物质谱分析,E波段半导体元器件研制等领域对E波段高精度功率调制的需求,研制了一种可以工作在60～90 GHz大范围内的高精度可调衰减器.基于精密旋转式极化衰减器工作原理,通过HFSS仿真,对衰减器的尺寸进行了仿真优化.首先对方圆变换波导尺寸参数进行优化,使得衰减器整体微波通道电压驻波比小于1.2;其次,对衰减片的外形、厚度、表面阻抗等参数进行了优化设计,使得衰减器的插入损耗小于1 dB,衰减范围达60 dB;最后通过加工、装配、调试等工作,完成衰减器的试验验证.试验结果表明,开发的衰减器指标和设计指标吻合较好,从实验上验证了理论设计的可行性,实现了大范围、高精度可调衰减器的技术要求.

    极化衰减器大范围高精度功率调控

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    一种2 450 MHz大功率连续波磁控管输出天线耦合区的分析

    杨道川莫亚霖沈大贵
    59-65页
    查看更多>>摘要：文章分析了2 450 MHz大功率连续波磁控管输出天线耦合区位置变化对磁控管输出性能的影响.首先,采用了等效电路法对耦合区位置变化对磁控管的参数影响进行了理论分析,发现耦合区位置变化会对磁控管外观品质因数Qe产生影响;其次,运用电磁仿真软件对输出天线的径向位置和引出位置进行了PIC粒子模拟分析,发现了耦合区位置变化会对磁控管输出功率、工作频率及输出效率产生相应的影响,为实际装制管中遇到的问题提供一些参考.

    连续波磁控管能量输出器耦合区径向位置引出位置

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