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期刊信息/Journal information
电子与封装
中国电子科技集团公司第五十八研究所
电子与封装

中国电子科技集团公司第五十八研究所

王虹麟

月刊

1681-1070

ep.cetc58@163.com

0510-85860386

214035

江苏无锡市惠河路5号（208信箱）

电子与封装/Journal Electronics and Packaging
查看更多>>本刊是目前国内唯一以电子封装为主的技术刊物。
正式出版
收录年代

    4H-SiC功率MOSFET可靠性研究进展

    白志强张玉明汤晓燕沈应喆...
    1-9页
    查看更多>>摘要：4H-SiC功率MOSFET器件具有栅极驱动电路简单、开关时间短、功率密度大、转换效率高等优良特性,在电力电子系统中有着广泛的应用前景.但该器件在可靠性方面仍存在一些问题,如长期工作时的可靠性和动态工作中一些极端情况下的可靠性问题.针对器件的长期可靠性问题,阐述了长期可靠性的表征方法,栅介质制备工艺对长期可靠性的影响和长期可靠性机理研究的相关成果.在动态可靠性方面,对雪崩测试、短路测试和浪涌测试的实验现象和失效机制分析进行了综述.

    碳化硅MOSFET可靠性

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    超高压碳化硅N沟道IGBT器件的设计与制造

    杨晓磊李士颜赵志飞李赟...
    10-15页
    查看更多>>摘要：自主设计和制备了 一种耐压超过20 kV的超高压碳化硅(SiC)N沟道绝缘栅双极晶体管(Insulated Gate Bipolar Transistor,IGBT)器件.通过仿真设计优化了器件结构,同时结合自支撑衬底剥离技术、背面激光退火技术以及载流子寿命提升技术,成功在N型SiC衬底上制备了 SiC N沟道IGBT器件.测试结果表明,该器件阻断电压为20.08 kV时,漏电流为50μA.当栅电极施加20V电压,集电极电流为20 A时,器件的导通电压为6.0 V,此时器件的微分比导通电阻为27 mΩ·m2.该值仅为15 kV SiC金属氧化物半导体场效应晶体管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor,MOSFET)比导通电阻的1/7,充分显示出SiC N沟道IGBT器件作为双极型器件在高阻断电压、高导通电流密度等方面的突出优势.

    碳化硅N沟道IGBT超高压载流子寿命提升技术

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    基于Al2O3/NEA121堆叠薄膜的水氧阻隔性能研究

    彭荣杨振波王珺
    16-20页
    查看更多>>摘要：薄膜封装是有机电致发光器件柔性化亟需解决的关键技术难题.用NEA121树脂与Al2O3作为薄膜封装的有机膜与无机膜封装,封装薄膜的水氧阻隔性能通过钙膜测试.实验结果表明,3层堆叠Al2O3/NEA121封装后的水汽透过率(Water Vapor Transmission Rate,WVTR)达到2.1×10-4 g/(m2·d),封装薄膜的失效原因是水汽通过封装薄膜缺陷点渗透,不断腐蚀钙膜导致封装失效,而采用无机/有机堆叠封装的方法使薄膜的封装效果得到了改善.

    薄膜封装无机/有机叠层薄膜水汽透过率原子层沉积旋涂

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    平板微热管三种槽道结构的传热性能分析

    李小凤潘中良
    21-26页
    查看更多>>摘要：为了探究平板微热管槽道横截面的形状和工质对平板微热管工作性能的影响,运用多物理场有限元仿真软件Comsol对矩形槽、梯形槽和正六边形槽三种平板微热管的热性能进行了有限元仿真.通过比较水和乙醇两种工质的平板热管在加热功率分别为30 W、40 W和50 W时热管下表面中心点的温度,得出正六边形槽道结构相比于矩形槽道和梯形槽道具有更好的传热性能,而且当平板微热管槽道结构相同时,采用水作工质比乙醇更有利于导热.

    平板微热管传热性能槽道结构工质有限元仿真

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    焊接参数对Au80Sn20焊料封装孔洞和微观组织的影响

    颜炎洪徐衡王英华陈旭...
    27-32页
    查看更多>>摘要：气密性封装工艺广泛应用于高可靠电子元器件.目前陶瓷产品的气密性封装主要采用Au80Sn20合金作为连接材料将盖板和管壳进行密封,Au80Sn20合金中Au与Sn元素的质量分数分别为80％和20％,是金锡二元合金的共晶成份,目的是在较低的温度和最短的时间内发生共晶反应,形成良好的密封结构.采用Au80Sn20合金对DIP20陶瓷管壳与盖板进行气密性封装,通过微观组织表征与X-ray测试观察金属间化合物的状态和元素分布,研究不同焊接温度和焊接压力对Au80Sn20合金焊接孔洞和微观组织的影响.在焊接峰值温度和焊接压力两个关键因素上进行优化,得出了减少气密性封装孔洞的最佳工艺参数组合,提高了 Au80Sn20焊料气密性封装的可靠性,有助于提高元器件封装质量,在行业内具有一定的指导意义.

    气密性封装孔洞工艺参数最佳效果

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    基于差分翻转电压跟随器的AB类缓冲器设计

    马志寅李富华陈天昊
    33-36页
    查看更多>>摘要：为了解决传统电压缓冲器建立时间较长、功耗较大等问题,提出了一种基于差分翻转电压跟随器(Differential Flipped Voltage Follower,DFVF)的AB类缓冲放大器.电路主要由作为输入级的DFVF和基于反相器的输出级组成.与其他缓冲器相比,该电路结构简单,晶体管数量少.由于使用了 AB类的缓冲器,因此输出电流不受偏置电流的影响,并且静态电流小.采用SMIC0.18μm工艺对电路进行仿真,仿真结果表明在1.8 V电源电压、全电压摆幅下,能在0.56 μs的建立时间内驱动1nF的电容负载,同时静态电流只有5 μA,可用于液晶显示器的列驱动.

    缓冲器翻转电压跟随器建立时间AB类

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    辅助优化FPGA综合效果的测试例自动生成方法

    刘佩惠锋
    37-43页
    查看更多>>摘要：FPGA支持软件的质量极大地影响电子工程设计师的工作效率,而FPGA综合是FPGA设计流程的关键步骤,是后续所有工作的基础,极大地影响FPGA设计工具的效果.测试例自动生成技术的研究可以有效驱动FPGA设计工具的开发和质量提升.提出一种测试例自动生成方法,通过注入可控的"无关项"或"冗余项",以及可调的输入、输出和逻辑层次等参数,使得生成的测试例可以被用于测试FPGA综合中的逻辑优化策略是否达到预期,辅助优化FPGA综合效果.

    FPGA逻辑优化自动测试测试例生成

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    一种具有恒定转换速率的低压输出电路

    顾明常红黄少卿陈海涛...
    44-47页
    查看更多>>摘要：设计了一种低压输出电路,其输出波形的转化速率(Slew Rate,SR)对工艺、电压、温度(Process,Voltage,Temperature,PVT)和负载的变化不敏感.由于N型金属-氧化物-半导体(N-Metal-Oxide-Semiconductor,NMOS)具有高速和低导通电阻的优点,输出缓冲器被设计成双NMOS管串联结构.为了得到对PVT和负载不敏感的SR,在预驱动电路和输出缓冲器间引入了反馈电容.Hspice的仿真结果显示,当输入信号频率为5 MHz时,负载电容从20 pF变化到80 pF,输出的上升时间和下降时间仅仅变化了 0.6ns和1.3 ns,与传统电路相比性能提高了 257.6％.不同的PVT下,输出的上升时间和下降时间变化了 1.2ns和2.8ns,与传统电路相比性能提高了 62.4％.

    低压输出电路恒定转换速率反馈电容

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    多路伺服阀驱动系统设计

    张萍萍
    48-52页
    查看更多>>摘要：针对电液伺服系统中需要同时驱动多个伺服阀的应用场景,设计了由单个主控芯片控制,可输出多路电流驱动伺服阀,同时对输出电流实时监控的电路.系统由数字信号处理器(Digital Signal Process,DSP)控制多个以菊花链方式连接的数模转换器(Digital-to-Analog Converter,DAC)输出电压信号,经过电流驱动放大电路后输出电流,驱动多通道伺服阀工作,同时系统对各通道电流信号进行实时监控.该系统已应用于某型号列车转向系统中,可同时驱动4路伺服阀,输出电流为±50mA,系统能够监控实时电流,频率响应性能好,截止频率为500kHz.

    伺服阀伺服电流运放电流监控

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    应用于高精度模数转换器的乘法数模单元模块研究

    邵杰唐路
    53-58页
    查看更多>>摘要：提出了一种应用于18 bit 20 MS/s无采保结构(SHA-Less)高精度流水线型(Pipeline)模数转换器(Analog-to-Digital Converter,ADC)的乘法数模单元(Multiplying Digital-to-Analog Converter,MDAC).从减小电路动态、静态误差以及系统噪声的角度,介绍了高性能MDAC电路的设计方法.使用0.18 μm CMOS工艺实现电路版图,并用Spectre和Calibre进行后仿验证.在室温条件下,输入5MHz正弦波信号,采样频率为20 MHz,对设计的MDAC电路进行后端仿真并进行快速傅里叶变换(Fast Fourier Transform,FFT)处理,结果显示信噪比(Signal Noise Ratio,SNR)为87.32 dB,有效位数(Effective Number of Bits,ENOB)为 13.97 bit,无杂散动态范围(Spurious Free Dynamic Range,SFDR)为90.53 dBc,总谐波失真(Total Harmonic Distortion,THD)为-90.74 dB.

    高精度流水线型模数转换器乘法数模单元

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