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电子元件与材料
中国电子学会　中国电子元件行业协会　国营第715厂(成都宏明电子股份有限公司)
电子元件与材料

中国电子学会　中国电子元件行业协会　国营第715厂(成都宏明电子股份有限公司)

钟彩霞

月刊

1001-2028

journalecm@163.com/zhubei5148@163.com

028-84391569

610051

成都市一环路东二段8号宏明商厦702室

电子元件与材料/Journal Electronic Components & MaterialsCSCD北大核心CSTPCD
查看更多>>本刊报道国内外在电子元件、电子器件、电子材料领域所取得的有关基础理论、生产技术、应用开发等方面的最新科研成果，报道科学技术和行业发展的动态，介绍新产品和市场信息。本刊兼顾创新性、实用性、系统性和导向性，深受广大读者好评；一直被确认为无线电电子学类全国中文核心期刊；被CA和IEE INSPEC全文收录；系中国科学引文数据库来源期刊，系中国科技论文统计源期刊。
正式出版
收录年代

    太赫兹波化合物半导体材料研究进展

    时翔
    1167-1180页
    查看更多>>摘要：继微波、毫米波技术之后,太赫兹(THz)波技术已被证实在下一代探测与通信领域具有重要的应用前景.作为微波、毫米波芯片衬底材料主流的Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体材料,正逐渐成为太赫兹单片集成电路(TMIC)材料科学的研究热点.本文介绍了以砷化镓(GaAs)、磷化铟(InP)、氮化镓(GaN)为代表的化合物半导体材料在TMIC制造领域的研究与应用进展,分析了国内外研究现状与未来发展趋势.

    太赫兹化合物半导体综述集成电路固态技术

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    军用高精度惯性微系统集成技术展望

    范昶
    1181-1189页
    查看更多>>摘要：随着军事领域对精确导航和定位的需求不断提升,高精度惯性微系统集成技术在军用方面展现出显著的应用潜力.通过提升组装精度、优化封装方式、增强抗干扰能力和实现微型化设计等举措,有效突破了现有技术的瓶颈.综述了惯性传感器、导航系统和集成技术的基本发展状况,深入探讨了国内外军事领域对高精度惯性微系统集成技术的需求.针对国内研究现状以及打破国外禁运的迫切需求,分析了当前在高精度、高可靠、微小型化层面进行研究的重要性和紧迫性,阐述了这些要求对于军事系统的关键作用.同时,提出了提高组装正交性、解决组装残余机械应力等封装问题的研究方向,以期推动军用高精度惯性微系统集成技术的创新和发展.

    惯性微系统综述传感器融合高精度集成

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    三维集成电子封装中TGV技术及其器件应用进展

    张迅王晓龙李宇航行琳...
    1190-1198页
    查看更多>>摘要：在三维(3D)集成电路中,层间电路封装及其互联互通主要依赖于垂直通孔结构,这是其突破传统二维集成电路布局的核心与关键.近年来,玻璃通孔(TGV)技术由于具备低成本、高性能、易于加工和应用前景广阔等优点,日益引起了科研人员和电子厂商们的关注与重视.首先综述了 TGV技术的性能优势、工艺特点、制备方法及关键技术.在此基础上,总结了 TGV技术在三维集成无源器件(IPD)、集成天线封装、微机电系统(MEMS)封装以及多芯片模块封装等多个三维集成电子封装领域中的应用进展.基于此,进一步展望了 TGV技术在未来三维集成电子封装中的发展方向与应用前景.

    电子封装三维集成电路综述玻璃通孔技术垂直互联成孔孔填充

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    基于PEDOT柔性纳米管的超级电容器储能特性研究

    毛喜玲牛婷婷刘豪刘佳...
    1199-1206页
    查看更多>>摘要：针对柔性电极材料比容量低、可弯曲性差、在基底上的附着性差、易脱落的难题,采用简单可控的气相聚合法(VPP)在碳布上原位生长聚3,4-乙烯二氧噻吩(PEDOT)纳米管材料.其中,碳布(CC)作为柔性基底和集流体具有有序的电子通道,而在碳布上均匀包覆的PEDOT纳米管材料不仅能暴露更多的电化学活性位点,还可以有效提升电化学反应效率及电极/电解质的界面稳定性.研究不同聚合温度对PEDOT/CC电极材料表面形貌及储能特性的影响,实验结果表明,当聚合温度为130 ℃,聚合时间为120 min时,PEDOT/CC电极材料的电化学性能最优(663.34 F/g@1 A/g).将NiCo-MOF作正极,PEDOT/CC作负极,组装非对称超级电容器,器件的工作电压窗口可以达到1.6 V,在1 A/g时的比电容为178.19F/g,并展现出较高的能量密度(53.84Wh/kg).这项工作表明,在碳布上原位生长纳米管提升电极的反应动力学是构筑高性能非对称超级电容器的有效途径之一.

    PEDOT气相聚合法柔性电极材料非对称超级电容器

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    用于巡检机器人拔插作业的柔性触觉末端

    黄厚柱滕飞余宏波唐欣悦...
    1207-1213页
    查看更多>>摘要：采用PVDF-HFP和BMIM-PF6作为基体和离子源,结合三聚氰胺骨架和浸渍工艺,制备得到基于复合多孔离子凝胶介电层的电容式柔性压力传感单元,压力传感单元具有高灵敏度(17.2 kPa-1)和宽检测范围(0～500 kPa).然后,结合霍尔芯片、弹性体和钕铁硼磁铁,设计得到霍尔式切向力传感单元,切向力传感单元具有高灵敏度(8.610 mT·N-1)和宽检测范围(0～20 N).最终,集成前述压力及切向力传感单元,制备出一种具有多维力感知功能的机器人柔性触觉末端,将触觉末端应用于插头和光纤尾纤的拔插作业,结果表明:在该触觉末端的辅助下,巡检机器人能实时监测并判断拔插作业中如滑移、正常、卡壳等典型工作状态,有效提高巡检机器人的作业安全性和成功率.

    触觉末端多维力传感器拔插作业巡检机器人

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    Ce4+掺杂调节晶格畸变优化Bi4Ti2.95W0.05O12陶瓷的电学性能

    强晓永刘天天陈涛陈阳...
    1214-1220页
    查看更多>>摘要：采用固相反应法成功制备了 Bi4Ti2.95W0.05O12-x％CeO2(掺杂量x=0,0.02,0.05)高温无铅压电陶瓷.研究发现Ce4+掺杂量的变化对陶瓷晶格畸变程度具有调节作用.系统地研究了这种调节作用对陶瓷微观形貌、压电性能和介电性能的影响.XRD和扫描电镜测试结果表明,适量的Ce4+掺杂能有效地在压电陶瓷内部引发适度的晶格畸变,进而改善了陶瓷的压电和介电性能,同时降低了介电损耗.当掺杂量x为0.02时,样品展现出最佳性能:d33=8 pC/N,Tc=618 ℃,tanδ=0.09％,Qm=3364.

    压电陶瓷掺杂晶格畸变电学性能微观结构

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    Dy2O3掺杂抗还原纳米BaTiO3基陶瓷性能研究

    罗世勇赵俊斌蓝小林周沫柯...
    1221-1226页
    查看更多>>摘要：采用传统固相合成法制备了 BaTiO3-SrCO3-MgCO3-Mn3O4-xDy2O3-ZrO2-SiO2陶瓷,其中x的取值范围为摩尔分数0～0.8％.该系列陶瓷以1320 ℃的温度在1％H2+99％N2混合还原气氛中烧结.系统研究了 Dy2O3掺杂对纳米BaTiO3基陶瓷的晶格变化、晶粒生长和介电性能的影响.结果表明,掺杂适量的Dy2O3有助于提升BaTiO3陶瓷材料的介电常数、绝缘电阻率以及Tc峰值.最终,掺杂摩尔分数0.2％Dy2O3的BaTiO3陶瓷样品表现出了高介电常数(εr=2914)、良好的绝缘电阻率(ρv=1.94×1011Ω·cm)和低介质损耗(tanδ=0.7％),且其温度特性符合EIA X7R标准(-55-125 ℃,ΔC/C25℃≤±15％),表现出作为纳米BaTiO3基电容器陶瓷材料的良好应用潜力.

    纳米钛酸钡抗还原Dy2O3高介电常数温度稳定性

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    低浓度CeO2/SiO2复合磨料对硅片CMP性能的影响

    刘文博王辰伟罗翀岳泽昊...
    1227-1234页
    查看更多>>摘要：为了在硅衬底化学机械平坦化(CMP)过程中提高对硅衬底的去除速率,同时获得良好的表面质量,选用了CeO2包覆SiO2的壳核结构复合磨料,研究其在低浓度下对硅衬底去除速率和表面质量的影响.采用扫描电子显微镜(SEM)、光电子能谱(XPS)对CeO2/SiO2复合磨料样品的结构、形貌进行了表征,表明其具有完整包覆的壳核结构.BET比表面积和摩擦系数测试显示,在相似粒径下CeO2/SiO2复合磨料比SiO2磨料拥有更大的比表面积和摩擦系数,从而提高了对硅片的化学反应和机械磨削作用.实验表明,当采用质量分数0.5％的CeO2/SiO2复合磨料(粒径75 nm)对硅衬底抛光后,其去除速率可达到530 nm/min,硅衬底表面粗糙度为0.361 nm.因此,相对于传统SiO2磨料,采用CeO2/SiO2复合磨料抛光可以在低浓度条件下同时具备高去除速率和良好的表面质量.

    化学机械抛光(CMP)CeO2/SiO2复合磨料硅去除速率表面质量

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    可嵌入式金属化玻璃基微流道热沉设计与优化

    朱勇陈力嘉赵强
    1235-1240页
    查看更多>>摘要：随着玻璃封装技术的迅速发展,其在高效热管理方面的短板已日益凸显,成为亟需突破的关键技术瓶颈.提出将金属化策略应用于玻璃基微流道热沉,以改善热导性能.基于分区金属化的优化设计,进一步提升局部散热效果.构建了金属化玻璃和微流道热沉模型,开展了热仿真,分析了金属化玻璃和微流道热沉的导热/散热能力,实现了金属化玻璃基微流道热沉散热能力的提升.研究结果表明,基于高热导率金属化玻璃设计的玻璃基微流道热沉能将玻璃微流道热沉的热阻由11.71 W/K降低至1.80 W/K,表现出明显增强的散热能力,为玻璃封装技术的热管理提供了新思路.

    玻璃封装金属化散热微流道热沉嵌入式

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    F波段宽带分谐波混频器设计

    徐奕陈振华王晓燕祁博宇...
    1241-1249页
    查看更多>>摘要：针对大带宽、低损耗的应用场景,研制了一款覆盖整个F波段(90～140 GHz)的分谐波混频器.混频器采用国产分立二极管器件,以波导-石英混合集成电路形式实现.混频电路中所涉及的耦合探针、紧凑谐振滤波等结构均集成于厚度为127 µm的单片石英基片上,通过设计高鲁棒性的直流接地回路以及紧凑谐振滤波单元,实现了整个石英基片的紧凑化及宽带混频特性.测试结果表明,所设计的分谐波混频器在12 dBm本振功率激励下,可在90～140 GHz频率范围内实现12～16 dB的单边带变频损耗,本振和中频工作带宽分别为45～70 GHz以及DC～15 GHz,可以用于频谱扩展测量系统中.

    F波段分谐波混频器混合集成电路肖特基二极管

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