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通讯世界
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姜艳青

月刊

1006-4222

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北京复兴路15号816室

通讯世界/Journal Telecom World
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    L波段小型化150W GaN功率载片的研制

    董四华银军赵景波高永辉...
    1-3页
    查看更多>>摘要：介绍了一种采用氮化镓(GaN)材料的L波段高增益小型化功率载片设计方法。该GaN功率载片基于高电子迁移率晶体管芯片，采用负载牵引测试技术提取大信号阻抗参数，并依据该大信号阻抗参数设计阻抗匹配电路网络。在L波段 990 MHz～1 130 MHz频段内，36 V直流工作电压、150 μs脉冲宽度、15%占空比工作条件下，实现输出功率大于 150 W、功率增益优于 35 dB、功率附加效率大于 52。5%的性能指标，并在20 mm×14 mm×2。8 mm的尺寸内，实现高增益、高效率的百瓦量级小型化功率载片研制目标。

    氮化镓负载牵引小型化L波段功率载片

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    关于高校校园网向IPv6过渡的研究

    王海亮梁红刘亚翃
    4-6页
    查看更多>>摘要：随着网络用户的不断增长，互联网协议第四版(internet protocol version 4，IPv4)的诸多缺陷已严重制约了互联网的发展，过渡至互联网协议第六版(internet protocol version 6，IPv6)已势在必行。由于高校校园网设备多、用户多、业务应用复杂，IPv4 向IPv6 的过渡将经历一个长期的过程。对比了IPv4 和IPv6 的区别，分析了IPv4 至IPv6 的过渡技术，提出高校校园网支持IPv6 访问的指导思想和指导原则，并通过案例分析了改造方案，以供国内其他高校相关实践参考。

    IPv4IPv6校园网络IPv4/IPv6过渡

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    智能化带宽调整系统的研究与实现

    赵乾宏刘明波孙文杰崔勇...
    7-9页
    查看更多>>摘要：通过分析岸船通信卫通链路数据传输的特点，设计了一套基于智能化的动态带宽调整系统。该系统通过制定相应的服务策略，保证了卫通链路各类业务的高质量传输;系统通过智能化带宽调整，提高了卫通链路的数据传输带宽使用效率。

    带宽调整服务策略智能化

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    V波段2W高效率GaN功率放大器MMIC的研制

    高茂原
    10-12页
    查看更多>>摘要：由于氮化镓(GaN)具有高功率密度特性，因此GaN功率放大器在毫米波领域得到快速发展，其性能不断提升。基于此，采用 0。13 μm GaN工艺，研制了一款V波段高效率的GaN功率放大器单片微波集成电路(MMIC)，对 0。13 μm GaN工艺和器件进行阐述。对功率放大器设计和制作进行研究，包括功率放大器的架构、电路实现以及功率合成和版图实现，并对功率放大器进行测试和结果分析，包括小信号特性和大信号特性。该功率放大器在 40 GHz～75 GHz频段内，其饱和输出功率大于 2W，附加效率大于 15%，功率增益大于 18 dB，可广泛应用于毫米波雷达和通信领域。

    V波段高功率高效率功率放大器MMIC

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    触摸屏与远方仪表的串口通信应用研究

    莫瑞强邱立民
    13-15页
    查看更多>>摘要：触摸屏作为一种简单、便捷的人机交互系统，在军事指挥、工业控制、公共信息查询、多媒体教学等领域得到广泛应用。而在日常操作过程中，触摸屏要想实现变频器测试系统的全部功能，凸显触控技术的先进性与实用性，必须编制一套具有可行性的触摸屏与远方仪表的串口通信设计方案，并通过自由通信协议对触控系统进行有效控制。基于此，对触摸屏与远方仪表进行概述，提出触摸屏串口通信软件设计思路，重点围绕触摸屏与远方仪表的串口通信设计方案展开论述，旨在为通信参数的合理设置提供有力参考。

    触摸屏远方仪表串口通信协议

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    高压超宽带GaN功率放大器芯片的研制

    范悬悬边照科
    16-18页
    查看更多>>摘要：设计了一款采用 48V 氮化镓(GaN)高电子迁移率晶体管(HEMT)工艺的 1 GHz～10 GHz超宽带功率放大器芯片。通过栅源复合场板结构设计提升GaN HEMT器件的击穿电压，并基于高压GaN工艺平台设计了高输出功率超宽带功率放大器芯片。该功率放大器芯片整体输出功率大于 20 W，功率附加效率大于23%，输入输出回波损耗小于-10 dB、小信号增益在 23～30 dB，各项指标参数较好。

    超宽带高压工艺GaN大功率

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    VSAT卫星通信系统的应用研究

    侯依林
    19-21页
    查看更多>>摘要：随着科学技术的发展，我国卫星通信技术取得了显著成果，在各领域中发挥出其独特作用。VSAT卫星通信系统涵盖了空间、地面两个部分，在整个通信领域属于非常活跃的分支，其正处于不断发展的阶段，应用也愈发广泛。基于此，以VSAT卫星通信系统为核心进行阐述，简要概述了VSAT卫星通信系统及其特征、系统组成与连接方式，并重点论述了该系统的实践应用，以期提供有价值的参考。

    VSAT卫星通信系统组成连接方式

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    功率芯片金-硅焊接空洞研究

    王朋范国莹白红美孙保瑞...
    22-24页
    查看更多>>摘要：金-硅(Au-Si)焊接通常用于装配射频电路中大功率的芯片，对芯片空洞率的要求极高，以此降低芯片装配的热阻和提高装配的可靠性，Au-Si焊接的主要方式为保护气氛下共晶摩擦焊。为降低Au-Si共晶摩擦焊的空洞率，对焊接载体的镀层进行研究，通过使用镍-钴(Ni-Co)镀层替代Ni镀层，增加Ni-Co镀层厚度，改善焊接效果，提高芯片装配的可靠性。

    金-硅焊接Ni-Co镀层空洞率共晶摩擦焊热阻

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    云网融合场景中传输网络架构探讨

    刘唯
    25-27页
    查看更多>>摘要：随着云计算、大数据和物联网等新技术的迅猛发展，传统传输网络已经无法满足人们对带宽、时延和可靠性等方面的需求，因此，在云网融合的场景中，对传输网络架构的探讨变得尤为重要。基于此，深入讨论云网融合场景中的传输网络架构，从软件定义网络、网络功能虚拟化两个方面出发，寻求更加高效、灵活和安全的传输网络解决方案，以满足未来云网融合应用的需求。

    云网融合场景传输网络架构软件定义网络

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    5G基站用740MHz～960MHz 705W GaN功率器件的研制

    闫锐默江辉王川宝付兴中...
    28-30页
    查看更多>>摘要：为了提升 740 MHz～960 MHz 705 W GaN功率器件的输出功率和抗失配能力，对GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)和GaN功率器件进行设计，采用双场板技术和背面通孔技术解决器件击穿电压低和抗负载失配能力差的问题。同时，基于预匹配技术和金属陶瓷封装技术，成功研制出Dohert结构的GaN功率器件。对设计出的GaN功率器件进行测试，在工作电压为 48 V、工作频段为 740 MHz～960 MHz的条件下，实现输出功率达到 708 W，带内功率附加效率最高达 77。8%，功率增益大于 16。5 dB，抗失配能力达到 5:1 的性能指标。

    GaNHEMT功率器件场板

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