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期刊信息/Journal information
真空
真空

陆国柱

双月刊

1002-0322

zkzk@chinajournal.net.cn

024-24110136

110042

辽宁省沈阳市万柳塘路2号

真空/Journal Vacuum北大核心CSTPCD
查看更多>>本杂志是中国真空界主要杂志之一。自1994年真空杂志转换经营机制以来，由我国真空企业界实力雄厚的厂家与杂志社联办成立董事会，并由真空学术界著名学者组成编委会。社会效益与经济效益与日俱增，在国内真空界享有盛誉。自1989年公开发行以来，被美国、英国、德国、日本、意大利、韩国以及港澳地区越来越多的海外学者所关注。
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    多元稀土掺杂YSZ热障涂层的热物理和热循环性能研究

    黄光宏甄真王鑫牟仁德...
    1-9页
    查看更多>>摘要：4.5wt.%Gd2O3-5.5wt.%Yb2O3-10.5wt.%Y2O3-79.5wt.%ZrO2(GdYbYSZ)稀土复合氧化物陶瓷是一类适用于更高温度下潜在应用的新型热障涂层(TBCs)材料.采用高温固相合成法制备了GdYbYSZ陶瓷粉体和陶瓷块材,在 1 100℃和 1 300℃煅烧不同时间后GdYbYSZ陶瓷粉末无相变,具有非常优异的高温相稳定性.在 1 200℃时,GdYbYSZ陶瓷块材的平均热扩散系数和平均热导率分别比同等温度下YSZ陶瓷块材降低了 2.1%和 5.1%.采用电子束物理气相沉积(EB-PVD)工艺在单晶合金(Ni,Pt)Al粘结层表面制备了GdYbYSZ新型热障涂层.沉积态GdYbYSZ陶瓷涂层的主相结构为立方相,有少量游离态Y2O3和ZrO2 共存,其Y和Zr元素的相对含量均比靶材中的高,而Gd和Yb元素含量相当.经 1 100℃长期冷热交替循环后,GdYbYSZ陶瓷层表面出现大量规则分布的"泥巴状"微观裂纹,陶瓷层内滋长的横向裂纹已经扩展到陶瓷层与TGO层的界面处,并引起该界面退化分离.陶瓷涂层的剥落位置主要出现在TGO层上下两个临域的界面处.TGO层严重的褶皱、波动起伏、扭曲交联、凸面尖端应力积聚和快速松弛是引起GdYbYSZ/(Ni,Pt)Al热障涂层体系层间界面分离和剥落失效的关键性因素.

    电子束物理气相沉积热障涂层热物理热循环剥落失效

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    等离子增强磁控溅射制备TiCr基纳米复合涂层的显微组织和性能

    李灿民董中林夏正卫张心凤...
    10-15页
    查看更多>>摘要：使用等离子增强磁控溅射技术,利用三甲基硅烷TMS(Si-C)以及六甲基二硅氧烷HMDSO(Si-C-O)气体在H13 钢表面制备了TiCrSiCN和TiCrSiCON纳米复合涂层.结合SEM、AFM、XRD、EDS等研究了O元素对涂层显微组织、物相组成、表面能、硬度、摩擦因数、耐磨和耐高温氧化性能的影响.结果表明:与无氧的TiCrSiCN涂层相比,含氧的TiCrSiCON涂层表面较粗糙,致密度低,且存在典型的柱状组织,从而导致其较高的表面能;O元素的加入提高了涂层的硬度,使TiCrSiCON涂层的耐磨性能显著提高,但TiCrSiCN和TiCrSiCON的摩擦因数相差不大;TiCrSiCON涂层中的Cr元素易与O元素结合形成一层致密的氧化膜,从而提高了其耐高温氧化性能.

    等离子增强磁控溅射纳米复合涂层显微组织摩擦磨损性能表面能高温氧化性能

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    卷绕蒸镀设备偏置线圈设计及参数分析

    尹翔陈世斌张艳鹏刘旭...
    16-21页
    查看更多>>摘要：在卷绕蒸镀设备生产过程中,电子束引起的较高能二次电子会影响复合集流体的质量.较高能二次电子的发射率与电子束的入射角在一定范围内成正比,因此利用额外磁场可以使电子束轨迹发生偏置,从而减小入射角.本文依靠仿真软件及CAD建模技术对电磁偏置线圈进行了开发设计,通过参数优化,得到匹配的磁场强度以及电子偏置轨迹,成功完成电子偏置线圈的设计.同时对电磁线圈参数对偏置的影响进行了对比分析.结果表明:增加电磁线圈的电流、匝数、尺寸、数量,以及减少线圈与电子枪的距离,都能减少电子束偏置半径.通过优化这些参数可以得到预定入射角度,实现低的二次电子发射率,为将来设备的迭代升级提供设计依据.

    卷绕蒸镀电子束偏置线圈参数优化

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    大尺寸方形载板MOCVD反应腔分气和薄膜沉积过程影响因素的数值模拟研究

    于大洋吴改
    22-28页
    查看更多>>摘要：介绍了适用于光伏行业砷化镓(GaAs)薄膜电池制备所需的大尺寸方形载板金属有机化学气相沉积(MOCVD)反应腔的多级分气系统,以及该反应腔结构设计过程中的核心参数:喷淋盘孔尺寸、载板与喷淋盘间距(简称"腔室间距").基于自研的容量为 36×4寸的MOCVD反应腔模型,应用计算流体力学(CFD)方法,同时考虑GaAs沉积过程中的气相反应和表面反应,对不同孔参数和腔室间距时的气流分配和薄膜化学气相沉积过程进行了数值模拟.考察了跨孔压差与气流量分配均匀性的关系,以及腔室间距对反应区气体流动以及GaAs薄膜沉积的影响.结果表明:初级"蜘蛛"形分气盘将主进气口分配成64个子进气口后的分气均匀性较好,质量流量值波动幅度仅为0.22%;增加喷淋盘孔深度可缓慢且线性提高孔压差,而缩小孔径对于压差的增加非常迅速;增加喷淋盘孔压差可提高次级分气均匀性,但提升效果趋缓;大腔室间距下的沉积速率低,且均匀性差;随着腔室间距缩小,沉积速率持续增加的同时,沉积均匀性先变好,后逐渐由于气流震荡而变差.

    金属有机化学气相沉积砷化镓数值模拟气体分配

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    TiAlN硬质薄膜的制备工艺及结构性能研究进展

    徐照英张腾飞王锦标陈巧旺...
    29-36页
    查看更多>>摘要：硬质TiAlN薄膜作为最有前途的TiN薄膜替代材料,具有比TiN薄膜更高的硬度、低摩擦因数、良好的高温稳定性和耐腐蚀性等优异性能,在石油、刀具、模具、电力、航空发动机等领域得到广泛应用.本文综述了TiAlN薄膜近年来国内外的应用及发展情况,着重阐述了TiAlN薄膜的制备方法,以及工艺参数对TiAlN薄膜性能的影响.同时对TiAlN硬质涂层的结构和性能进行了全面介绍,指出了TiAlN硬质薄膜性能优化的方法,并对TiAlN硬质薄膜的研究以及应用方向进行了展望.TiAlN硬质薄膜会随着科研人员的进一步深入研究以及应用的需求向复合化、多元化、纳米多层结构方向发展.

    TiAlN薄膜制备方法结构性能

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    温度对石墨烯真空标准漏孔漏率的影响研究

    刘楚彦刘招贤任国华韩琰...
    37-41页
    查看更多>>摘要：石墨烯真空标准漏孔是基于石墨烯衍生材料研制的新型真空标准漏孔,其漏率下限低于一般的石英渗氦型标准漏孔,可用于超灵敏度检漏系统的校准.基于石墨烯的材料特性,石墨烯真空标准漏孔的漏率会随温度变化.本文针对温度对石墨烯真空标准漏孔漏率的影响进行了研究,通过测量漏孔在不同温度环境下的漏率,得到该种漏孔的温度系数与变化规律.研究结果表明,石墨烯真空标准漏孔的漏率随温度呈线性变化,且温度系数低于2.5%/℃.

    石墨烯标准漏孔超灵敏度检漏温度系数

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    一种空间微型质谱仪的芯片级离子源研究

    窦仁超崔寓淏喻新发冯琪...
    42-46页
    查看更多>>摘要：设计了一种空间微型质谱仪用三电极场芯片级离子源结构,该离子源由 5层电极板构成气体电离区和离子引出区.采用MEMS技术制备了芯片级离子源原理样机,测试了其电子流、离子流和稳定性.结果表明:该芯片级离子源能够产生 0.357 mA以上的电子流,接收到的离子流可以达到 527 pA,满足空间探测任务中微小型质谱仪离子源的功能要求.

    微机电系统离子源深空探测空间质谱仪

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    高精度电子束偏转系统优化建立与仿真研究

    贾子朝郭志伟高学林
    47-52页
    查看更多>>摘要：电子束的高精度传输控制对于确保电子枪在金属熔炼、蒸发镀膜及电子束焊接等领域的可靠应用具有重要意义.针对电子束在金属物料蒸发环境中的传输控制技术开展研究,基于CST粒子仿真分析软件建立了 30 kV电子束偏转模型,分析了偏转装置结构及位置参数变化对电子束分布的影响规律,通过仿真设计优化得到了满足需求的电子束偏转控制参数与结构.试验验证表明该结构下的电子束传输轨迹可控,建立的30 kV电子束偏转系统满足要求.

    电子束传输CST仿真偏转装置优化

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    一种小型化过程检测质谱仪的设计与研制

    沈辉于佳佳侍尉庞骏德...
    53-57页
    查看更多>>摘要：质谱仪是气体监测与分析的一种重要仪器.相比于传统气体传感器检测方式,质谱仪具有检测范围广、灵敏度高、响应速度快等优点.本文研制了一台小型化过程检测质谱仪,采用双灯丝电子轰击电离源及四极杆作为质量分析器,检测器部分采用法拉第筒与电子倍增器双模式,电控单元以高频FPGA测控系统、大电流灯丝驱动电源、宽质量范围射频电源及高增益复合跨导放大器为核心.试验测试结果表明,该小型质谱仪各项性能指标优越,已达到市场上主流商品的水平,可广泛用于各类气体检测场合.

    过程检测质谱仪四极杆分辨率

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    车辆试验舱低气压动态试验系统设计

    刘中博
    58-61页
    查看更多>>摘要：针对车辆发动机在高海拔地区因低气压而性能下降的问题,依托于XX项目需求设计了一套低气压动态试验系统,其可用于模拟高海拔低气压环境和开展车辆低气压动态试验.详细介绍了该试验系统中低气压模拟系统及排烟系统的组成和工艺流程,并进行了抽气速率及抽气量计算.

    低气压环境发动机性能排烟系统

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