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期刊信息/Journal information
真空电子技术
北京真空电子技术研究所
真空电子技术

北京真空电子技术研究所

廖复疆

双月刊

1002-8935

VETECH@163.com

010-84352012

100015

北京749信箱7分箱

真空电子技术/Journal Vacuum Electronics北大核心CSTPCD
查看更多>>本刊1959年创刊，现为双月刊，国内外公开发行。是真空电子专业协会会刊，电真空情报网网刊，中国真空电子技术领域唯一的综合技术类刊物。设有专家论坛、研究报告、研究与设计、新技术、技术交流、工艺与应用、综述等栏目。主要刊登的是真空微波器件、离子器件真空开关器件等真空电子器件；CPT、CDT、PDP等显示器件和光电器件；照明光源；真空获得、测量、控制；气体分析；表面技术；电子材料及特殊工艺等方面的文章。同时报导本行业的最新信息和成果。
正式出版
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    氧化锌纳米复合材料的场发射性能研究

    陈贵滔钱维金涂友情黄卫军...
    54-59,67页
    查看更多>>摘要：采用两步法制备得到氧化锌纳米复合材料.首先采用低温水热法在硅基底上生长得到氧化锌纳米棒阵列,再采用电泳法分别制备得到 3 种氧化锌纳米复合材料,并对所得产物进行了 SEM、XRD、EDS和 XPS表征,最后对产物进行了场发射性能测试.XRD、EDS和XPS测试结果表明制备产物为Al2O3-ZnO、MgO-ZnO和CuO-ZnO纳米复合材料.同氧化锌纳米棒阵列相比,3 种氧化锌纳米复合样品的开启电场均有所下降,其中 MgO-ZnO 纳米复合样品的场发射性能最优,开启电场为4.7 V/μm,4 种样品的开启电场从低到高依次是:MgO-ZnO<Al2O3-ZnO<CuO-ZnO<ZnO,研究结果表明构建纳米复合材料能够有效提高氧化锌纳米棒的场发射性能.

    场发射氧化锌纳米棒纳米复合材料水热法电泳法

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    烧结温度对高纯氧化铝陶瓷结构与性能的影响

    李海青于志强谭会会臧向荣...
    60-63页
    查看更多>>摘要：以乙醇和异丙醇二元溶剂为体系,高纯氧化镁为烧结助剂,采用流延法制备了高纯氧化铝陶瓷材料,纯度达到99.82%.研究了烧结温度对高纯氧化铝陶瓷致密度、晶粒尺寸及其力学、热学及电学性能的影响.结果表明,在一定范围内,随着温度的升高,高纯氧化铝陶瓷致密化程度增加,晶粒逐渐长大,热导率逐渐升高,介电常数、介电损耗、击穿强度以及体电阻率均有上升的趋势,而抗弯强度先升高后降低,在 1650℃烧结时达到最高 488.9 MPa.

    高纯氧化铝流延烧结温度显微结构性能

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    热阴极离子规阴极灯丝断裂机理研究

    吴海赵英伟吴爱华
    64-67页
    查看更多>>摘要：介绍热阴极离子规的工作原理及组成结构,从热阴极灯丝变细、材料缺陷和工艺缺陷 3 方面分析离子规阴极灯丝断裂机理,根据断裂机理提出使用过程中的一些建议,以便延长使用寿命.

    热阴极离子规灯丝断裂机理

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    AlN陶瓷基片的流延法制备及性能研究

    谭会会于志强李海青臧向荣...
    68-71,75页
    查看更多>>摘要：采用流延法制备 AlN陶瓷基片,使用无水乙醇为溶剂,避免了酮类、苯类混合溶剂对人体和环境的危害;同时以磷酸三乙酯为分散剂、以聚乙烯醇缩丁醛为粘结剂、以邻苯二甲酸丁卞酯为塑化剂,并在氮氢混合气氛下高温烧结.对比研究了进口 AlN粉体和国产 AlN粉体在相同条件下制备的陶瓷基片的性能,结果表明:采用两种粉体制备成的陶瓷基片性能指标基本相当;采用进口粉体制备的基片最佳烧结温度在 1830℃,密度达到 3.327 g/cm3,热导率达到 179.0 W/m·K,三点抗弯强度达到 374.9 MPa.采用国产 AlN粉制备的基片,其最佳烧结温度在 1820～1825℃,密度达到 3.320 g/cm3,热导率达到 174.8 W/m·K,三点抗弯强度达到 423.1 MPa.

    AlN基片流延气氛烧结性能表征

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    加速管复合靶设计

    陈丽芳闫继伟王加松胡晓斌...
    72-75页
    查看更多>>摘要：本文介绍加速管复合靶设计,以 15 MeV加速管用复合靶为例总结蒙特卡罗程序模拟计算方法,目前已完成了 S波段 2 MV、6 MV、9 MV、12 MV、15 MV加速器和S波段 4MV/6MV双能加速器以及C波段 2.5 MV、6 MV加速器复合靶设计,并取得了很好的工程应用效果.

    加速管复合靶无损检测轫致辐射

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    1.90～2.10μm吸收型带通滤光片的研制

    张翔张薇
    76-80,85页
    查看更多>>摘要：介绍了 1.90～2.10 μm吸收型带通滤光片的设计与优化理论、制备中的工艺参数改进以及产品的测试方法.选用Ge、SiO作为高、低折射率镀膜材料,匹配等效折射率的方式在膜系中添加匹配层,使用TFCalc软件优化膜系,平滑消除陷波.研制出了中心波长为 2.0μm时通带内透过率大于 92%,在截止带 1.0～1.60 μm处和 2.50～3.89 μm处的平均透过率小于0.8%,10 层、2798 nm总厚度的 1.90～2.10 μm吸收型带通滤光片.该种滤光片膜层数少、厚度小,能够显著缩短滤光片的真空制备时间,提高了膜层控制精度,满足了批量化生产的需求.

    中心波长2.0μm带通滤光片等效折射率匹配层膜系设计工艺参数

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    国产氮化硅AMB覆铜板可靠性研究

    周泽安张振文耿春磊许海仙...
    81-85页
    查看更多>>摘要：氮化硅陶瓷覆铜板具有优异的高可靠性,使其成为新能源汽车、高铁等领域功率模块的必选散热基板材料之一.采用活性金属化焊接工艺制备国产氮化硅 AMB覆铜板,剥离强度≥14 N/mm,且整版剥离强度性能均匀;在 350～25℃高低温冲击 120 次,并未出现显著分层,剥离强度并未出现显著降低;国产氮化硅 AMB覆铜板端子拉拔测试断裂处呈现 S弯,铜层并未出现拉起现象.国产氮化硅 AMB覆铜板与进口产品相当,可满足功率模块使用要求.

    氮化硅陶瓷活性金属化焊接剥离强度温度循环

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    隧道式微波解冻设备大开口抑制器的优化设计

    周玲君张慧谭延君施亚玲...
    86-90页
    查看更多>>摘要：隧道式微波解冻设备,可以对整体包装的冻肉进行解冻.由于冻肉的包装尺寸比较大(约 600 mm×400 mm×200 mm),要求抑制器开口≥210 mm才能保证冻肉顺畅通过设备,电抗式抑制器(混合式抑制器、销钉式抑制器等)在尺寸和抑制效果上不能满足微波泄漏要求(≤5 mW/cm2),所以通常采用电阻性抑制器(全水套式)进行抑制.本文以电阻性和屏蔽式相结合的抑制器作为 915 MHz大开口隧道式微波解冻设备的抑制器,通过仿真模拟和结构设计,实现开口高度≥210 mm时,空载状态下,测得水套抑制器外侧端口的微波泄漏最大为 0.5 mW/cm2,符合微波泄漏标准(GB 5959.6 2008)的规定(≤5 mW/cm2).

    大开口抑制器微波泄漏全水套

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    征稿启事

    封2页
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    序

    刘頔威
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