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期刊信息/Journal information
磁性材料及器件
磁性材料及器件

马达　俞国俊（执行主编）

双月刊

1001-3830

yuguojun8021@163.com

0816-2868138 2555082

621000

四川省绵阳市105信箱

磁性材料及器件/Journal Journal of Magnetic Materials and DevicesCSCD北大核心CSTPCD
查看更多>>本刊是磁性行业全国唯一的学术、技术综合性专业期刊。以全面报道国内外磁性行业的新材料、新技术、新产品、新应用为己任，坚持以科研促技术、以技术促应用的办刊宗旨，为我国磁性及相关行业服务。读者对象为从事磁学、磁性材料和应用及相关领域的教学、科研、生产、设计、应用、管理等方面的广大人员。
正式出版
收录年代

    Zr4+-V5+联合取代对高介电常数石榴石铁氧体性能的影响

    黄鑫蒋晓娜孙科张晓峰...
    1-6页
    查看更多>>摘要：采用传统氧化物陶瓷工艺制备高介电常数、中等饱和磁化强度(4πMs)钇铁石榴石铁氧体Bi1.2Y1.8-3xCa3xZrxVxFe5-2xO12(x=0.410～0.455),研究不同烧结温度下Zr4+-V5+联合取代量对材料微观形貌、介电常数(ε')和磁性能的影响.结果表明,965～985 ℃烧结样品均为纯石榴石相,随着取代量x的增加,965 ℃和975 ℃烧结样品的气孔率(P)先下降后上升,x=0.455时,气孔率最低;985 ℃烧结时,样品气孔率随x增大呈上升趋势;非磁性的Zr4+-V5+离子进入a、d亚晶格,使得4πMs和磁晶各向异性常数(K1)逐渐下降,且Zr4+-V5+取代能促进晶粒生长,显著降低铁磁共振线宽(△H),但会引起介电常数下降.

    石榴石铁氧体Zr4+-V5+取代介电常数铁磁共振线宽

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    V2O5-BaTiO3添加对低温烧结NiCuZn材料磁性能的影响

    罗元杰兰中文王宏余忠...
    7-12页
    查看更多>>摘要：采用固相反应法制备NiCuZn软磁铁氧体材料,探究添加V2O5助熔剂和BaTiO3(BTO)共同作用对铁氧体微观结构和磁性能的影响,以期实现NiCuZn铁氧体的低温烧结.V2O5作为助熔剂可以起到促进晶粒生长和晶界成型的作用,但过量的V2O5的添加会导致出现晶粒异常生长,恶化磁性能.通过对样品高频下的损耗进行分离和分析,明确了致密化的小晶粒尺寸样品可以获得低的功率损耗.添加0.5 wt％的V2O5和0.03 wt％BTO的样品获得了优良的磁性能,室温下起始磁导率μi为669、饱和磁感应强度Bs为373 mT、功率损耗Pcv为212kW/m3(1 MHz,30 mT).

    NiCuZn铁氧体V2O5-BaTiO3添加低温烧结高频损耗磁性能

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    不同衬底沉积的Co/Pt多层膜及Co层厚度对其垂直磁各向异性的影响

    李梦超杨华礼
    13-18页
    查看更多>>摘要：采用直流磁控溅射方法,分别在100 μm厚的聚偏氟乙烯(PVDF)、聚酰亚胺(PI)和Si衬底上沉积Ta(2 nm)/Pt(20 nm)[Co(t)/Pt(0.5 nm)]4/Pt(1.5 nm)的磁性多层膜.考察了 Co层厚度及刚性Si、柔性PVDF和PI衬底对Co/Pt多层膜垂直磁各向异性的影响.结果表明,Co/Pt多层膜的垂直磁各向异性随着Co的厚度增大而减弱,表现为磁畴尺寸随Co的厚度增大而减小.通过对比生长在刚性衬底与柔性衬底上的Co/Pt多层膜的磁各向异性常数、矫顽力、磁畴尺寸,发现制备的柔性Co/Pt多层膜仍保持优异的垂直磁各向异性,其垂直磁各向异性与刚性衬底上生长的薄膜相近.

    Co/Pt多层膜Co层厚度垂直磁各向异性柔性衬底磁畴

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    条带宽度对NiFe薄膜磁性能的影响

    吴昌金邬传健何宗胜蒋晓娜...
    19-23页
    查看更多>>摘要：采用电子束蒸发法和光刻技术在5×5 mm2的Si衬底上制备了长度为5 mm、条带间距固定为30 μm、条带宽度为20～140 μm的Ni80Fe20软磁薄膜,分析了条带宽度对薄膜静态及动态磁性能的影响.结果表明,薄膜的面内矫顽力和各向异性场随着条带宽度的增大而减小,各向异性场从235 Oe减小到131 Oe.薄膜的共振频率fr从连续薄膜的0.75 GHz增高到条带宽度为20μm时的2.81 GHz,起始磁导率大于350,制备了兼具较高磁导率和高共振频率的NiFe薄膜.

    NiFe薄膜电子束蒸发图案化磁性能

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    行星式磁流变抛光装置设计及试验验证

    陈松翁阳喻红张君...
    24-30页
    查看更多>>摘要：为减少磁流变抛光过程中磁链屈服及磨粒沉降对材料去除效果的影响,提高磁流变抛光加工效率,基于磁流变抛光液的剪切应力模型和材料去除机理,结合工件Preston方程,建立了磁流变抛光材料去除模型;依据所建立的材料去除模型和行星式磁流变抛光加工原理,设计一种行星式磁流变抛光装置,并对抛光装置的关键参数进行计算;制作抛光装置样机并进行试验验证.结果表明,材料去除率与载液盘转速、工件转速及旋转半径呈正相关,所建立的材料去除率模型计算结果与试验结果一致性较好,所设计的装置能够达到精加工效果.

    磁流变抛光材料去除率抛光装置设计试验验证

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    预烧、磨料、烧结工艺对低温共烧NiCuZn铁氧体结构及磁性能的影响

    孙小龙杨陆刘兴许淑容...
    31-36页
    查看更多>>摘要：采用氧化物陶瓷工艺制备低温共烧NiCuZn软磁铁氧体材料,考察了预烧温度、球磨时间、烧结温度等工艺条件对材料微观结构和磁性能的影响.结果表明,随球磨时间延长、预烧温度增高,NiCuZn铁氧体材料磁导率、饱和磁通密度先增大后减小,功耗则先减小后增大;随烧结温度升高,材料磁导率、饱和磁通密度不断增大,功耗先降低后增高.当预烧温度为860℃、球磨时间6h、烧结温度为900℃时,晶粒尺寸在1～2μm之间、大小均匀、结构致密,材料磁导率为465、饱和磁通密度为306 mT、功耗为46.5 kW/m3,综合磁性能最佳.

    NiCuZn铁氧体低温共烧工艺条件磁性能

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    具有四陷波特性的小型化超宽带天线设计

    南敬昌杨清淞彭力徐维...
    37-42页
    查看更多>>摘要：为避免通信过程中所存在的窄带通信频段的干扰,提出一款具有小型化四陷波特性的超宽带(ultra-wideband,UWB)天线.该天线的辐射贴片采用半圆与矩形构成的特殊图形,并进行切角,在接地板的改进中采用可以有效扩展该天线在高频带宽的阶梯型结构.为了达到小型化以及四陷波特性,在尺寸仅为19.5mm×18mm×1.6 mm的天线的辐射贴片上进行陷波处理.仿真表明:此天线在4.1～4.5 GHz、4.9～5.85 GHz、7.15～7.75 GHz、以及7.96～8.55 GHz的频段回波损耗大于-10 dB,能够有效抑制数字微波通信频段波段、WLAN波段、X波段以及国际电信联盟波段对于信号传输的干扰,陷波后天线工作带宽达到3.5～10.6 GHz,可以广泛投入到UWB通信的应用,且陷波特性良好,四陷波特性也扩大了通信应用的领域,可以满足多种超宽带通信系统的应用.

    超宽带天线四陷波"U"形窄缝隙钩形枝节阶梯型接地板

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    基于体心立方结构的磁流变抛光表面粗糙度模型及试验验证

    陈松喻红翁阳
    43-48页
    查看更多>>摘要：基于体系最小能量理论及抛光中的能量传递原理,建立了基于体心立方结构的磁流变抛光表面粗糙度预测模型,分析不同参数对粗糙度的影响,并与传统模型相比较.结果表明:体心立方结构能更准确地表征挤剪模式下磁流变抛光液的微观结构及剪切屈服应力,表面粗糙度预测模型与试验结果具有更好的一致性,预测结果更准确;粗糙度受加工时长、磁场强度和主轴转速影响较大,当主轴转速达到1400r/min后由于高剪切速率作用下磁流变液的剪切稀化效应,抛光效果反而降低.

    磁流变抛光体心立方结构表面粗糙度模型试验验证

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    基于双频环行的W频段波导环行器仿真设计

    罗明王蓉袁兴武李婧...
    49-53页
    查看更多>>摘要：介绍了一种W频段宽带波导环行器的设计方法,通过对高阶模和双频环行器工作原理的分析,利用HFSS仿真软件优化电性能,并采用ANSYS热力学软件来校核功率容量,最终研制出的环行器主要性能为:工作频率为92～96 GHz,电压驻波比≤1.12,插入损耗≤0.5 dB,隔离度≥22 dB,功率容量≥15 W,符合毫米波器件小型化的发展要求.

    W频段波导环行器高阶模小型化

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    基于IGBT时序控制的磁阻发射无级调速实现

    齐文达向红军孔庆奕孟学平...
    54-57页
    查看更多>>摘要：为了实现磁阻发射无级调速威力可控,构建了 IGBT时序控制无反拉力作用的二级磁阻发射电路,研究了电枢在线圈内弹道的速度-时间曲线,采用最小二乘原理对速度-时间曲线进行了分级多项式拟合;基于电枢终点效应及电枢飞行阻力系数,构建了弹丸飞行方程组及电枢出口速度的数值推导求解方法;当电枢目标出口速度小于第一级线圈所能达到的最大速度时,第二级线圈不工作,通过第一级速度时间拟合函数求得IGBT的通断时序来实现电枢目标出口速度;当电枢目标出口速度高于第一级线圈最高速度时,第一级IGBT按最大速度设置通断时序,通过第二级速度时间拟合函数求得IGBT的通断时序来实现电枢目标出口速度;最后通过实验对测试结果与理论值进行比较与分析,得出了通过选择正确的IGBT通断时序可以实现磁阻发射无级调速的结论.

    磁阻发射IGBT时序控制拟合无级调速

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