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期刊信息/Journal information
电子与封装
中国电子科技集团公司第五十八研究所
电子与封装

中国电子科技集团公司第五十八研究所

王虹麟

月刊

1681-1070

ep.cetc58@163.com

0510-85860386

214035

江苏无锡市惠河路5号（208信箱）

电子与封装/Journal Electronics and Packaging
查看更多>>本刊是目前国内唯一以电子封装为主的技术刊物。
正式出版
收录年代

    表面贴装锡基焊点长期贮存可靠性及寿命预测研究

    张贺冯佳运丛森王尚...
    1-6页
    查看更多>>摘要：互连焊点的室温贮存寿命预测对于电子产品的可靠应用具有重要的工程意义.采用高温加速贮存试验,对有铅钎料(62Sn36Pb2Ag)表面贴装的电容焊点以及有铅钎料(63Sn37Pb)和无铅钎料(SAC305)混合组装的BGA焊点进行了长期贮存寿命预测.利用扫描电子显微镜对在3种温度(367.15 K、393.15 K和423.15 K)下贮存不同时间(1天、4天、9天、16天、25天、36天、49天)的界面金属间化合物(IMC)微观形貌进行了表征,对其生长动力学进行研究并建立了生长模型.选取IMC的厚度作为关键性能退化参数,依据初始IMC厚度分布为失效密度函数,获得了两种类型焊点的可靠度函数,进而确定两种焊点的特征寿命及中位寿命.

    表面贴装锡基钎料长期贮存寿命预测可靠性

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    基于亿门级UltraScale+架构FPGA的单粒子效应测试方法

    谢文虎郑天池季振凯杨茂林...
    7-12页
    查看更多>>摘要：UltraScale+架构FPGA采用16 nm FinFET工艺,功耗低且性能高,但存在粒子翻转阈值下降及多位翻转增多等风险.基于线性能量传输(LET)等效机理,选取7Li3+、19F9、35Cl11,14+、48Ti10,15+、74Ge11,20+、127I15,25+、181Ta、209Bi 8种重离子进行直接电离单粒子试验,建立单粒子闩锁(SEL)、翻转阈值、翻转截面及多位翻转的测定方法.结合LET通量及FinFET结构下的注射倾角,搭建甄别单位翻转及多位翻转的识别算法,能够实时处理并实现粒子翻转状态及多位翻转数据的可视化监控.所涉及的单粒子效应(SEE)分析方法能够较为全面地评估该电路的抗辐照特性.

    FinFETSRAM型FPGA单粒子效应多位翻转抗辐照测试

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    低翘曲BGA封装用环氧塑封料开发与应用

    李进邵志锋邱松沈伟...
    13-19页
    查看更多>>摘要：随着半导体封装密度的提高,FBGA等单面封装形式被广泛采用.在这些封装中,由于其非对称结构容易发生翘曲,且大面积封装基板也越来越薄,降低翘曲的要求也越来越高.为了减少单面封装的翘曲,有报道称,通过提高玻璃化转变温度(Tg)和降低封装材料的线膨胀系数来降低成型收缩率是有效的.然而,要保持环氧塑封料的高流动性并大幅降低成型收缩率是很困难的.将固化收缩率引入热粘弹性分析技术,明确了 BGA封装翘曲的发生机制,采用降低高温弯曲模量的方法可以设计出具有低粘度、高流动性和低翘曲的环氧塑封料.

    高密度封装翘曲收缩

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    超低功耗复位电路设计

    史良俊袁敏民
    20-24页
    查看更多>>摘要：提出了一种超低功耗复位电路结构,以微电流源提供偏置,利用器件自身的开启电压为触发点,并通过正反馈进行加速,实现了上电和下电复位功能,3.3 V电源供电时电流小于1 μA,在NMOS和PMOS管阈值电压之和附近产生可靠的复位信号.以华润微电子0.25 μm 5 V工艺实现电路版图并流片,面积小于0.001 mm2,典型复位电压为1.95 V.解决了常用复位电路可靠性低、没有低压复位功能、成本高等问题.

    超低功耗复位电路开启电压正反馈

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    片上SRAM物理不可克隆函数特性优化设计

    高国平赵维林
    25-28页
    查看更多>>摘要：业内常用静态随机存储器(SRAM)物理不可克隆函数(PUF)通过片上SRAM上电初始状态的固有物理特性生成系统安全密钥.但在系统不能充分掉电的情况下,片上集成SRAM上电后保持了上次掉电前的状态,无法生成固有的物理特性密钥.提出了一种在系统不能充分掉电情况下的电源控制电路,确保SRAM单元充分掉电,从而保证片上SRAM上电初始状态的物理特性.

    静态随机存储器物理不可克隆函数上下电控制

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    基于电阻网络修调的高精度基准源

    胥权赵新龚敏高博...
    29-33页
    查看更多>>摘要：针对高精度集成电路系统,工艺条件导致的误差需要通过修调弥补.基于0.18 μm CMOS工艺设计了一种针对片上基准源的修调电路,通过调整数字输入信号,对电阻网络修调电路进行控制,通过重配置输出级电阻比例,从而达到对基准源电压的调整.基准源采用改进的Neuteboom带隙电路,在5 V电源电压的工艺条件下进行仿真测试,在-40～125℃温度范围内,实现了 2.98×10-6/℃的温度系数.通过电阻网络修调的基准电压变化范围为2.3840～2.5154V,电压修调步长为2mV.

    带隙基准修调电路温度系数电阻网络

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    一款深亚微米抗辐照芯片的设计与实现

    邹文英高丽谢雨蒙周昕杰...
    34-37页
    查看更多>>摘要：设计了一款适用于航空航天领域的深亚微米抗辐照四路串口收发电路,重点介绍了逻辑设计、后端设计和抗辐照加固设计.电路采用0.18 μm CMOS工艺加工,使用工艺加固、单元加固及电路设计加固等多层次加固技术,有效地提高了电路的抗辐照能力.

    收发器深亚微米抗辐照加固

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    一种超宽带频率综合器电路的设计与实现

    赵建欣廖春连
    38-43页
    查看更多>>摘要：基于超宽带射频(RF)收发电路的应用,设计了一种正交输出的超宽带、全集成并且可重构的频率综合器,可适用于25 MHz～12 GHz工作频段的射频接收、发射电路中射频信号的上变频和下变频处理.采用电荷泵频率综合器作为整体实现架构,使用双核压控振荡器(VCO)覆盖频率范围,利用多级级联本振信号生成技术产生本振信号,实现了适用于多频段一体化通信、雷达无线电跳频、软件定义无线电的频率综合器.采用CMOS工艺进行了设计仿真和流片,芯片尺寸为0.658 mm×1.2 mm.测试结果表明,12 GHz相位噪声不大于-85 dBc/Hz@100 kHz offset,电路典型总功耗为203 mW.

    频率综合器超宽带双核压控振荡器CMOS工艺

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    60Co γ射线对增强型GaN HEMT直流特性的影响

    邱一武吴伟林颜元凯周昕杰...
    44-48页
    查看更多>>摘要：利用60Co γ射线对P型栅增强型氮化镓高电子迁移率晶体管(GaNHEMT)开展零偏置状态下总剂量辐射试验及常温退火试验,测试GaNHEMT直流特性参数对总剂量效应(TID)的响应规律.试验结果表明,γ射线辐照后器件阈值电压、跨导峰值和饱和漏极电流发生不同程度的退化,而栅泄露电流和导通电阻变化甚微.在剂量为0.6Mrad(Si)的条件下,经过120h的退火试验,器件阈值电压未发生明显的恢复,跨导峰值反而有轻微退化的趋势.从试验数据可知,器件直流特性退化主要是由于辐照引起二维电子气(2DEG)浓度下降,载流子迁移率降低,感生界面态陷阱导致.研究结果对GaNHEMT器件宇航应用可靠性的评估给予了有益参考.

    增强型GaNHEMT60Coγ射线辐照直流特性测试退火测试

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    200 mm硅外延片时间雾的产生机理及管控方法研究

    刘勇仇光寅邓雪华杨帆...
    49-52页
    查看更多>>摘要：针对硅外延加工过程及所处环境,研究了 200mm硅外延片时间雾产生的原因,分析了环境湿度、外延反应前后排外能力以及洁净厂房环境阳离子浓度等影响因素,提出了硅外延反应副产物氯化氢(HC1)和环境中的阳离子是导致硅外延片表面产生时间雾的主要原因.通过增强硅外延设备排外能力降低环境中的阳离子浓度,可有效降低时间雾产生的概率.

    硅外延时间雾环境阳离子载片腔氯化氢

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