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期刊信息/Journal information
微电子学
微电子学

成福康

双月刊

1004-3365

wdzx@sisc.com.cn

023-62834360

400060

重庆市南坪花园路14号24所

微电子学/Journal MicroelectronicsCSCD北大核心CSTPCD
查看更多>>本刊是技术类期刊。传播、普及、推广 微电子科学技术知识，介绍国内微电子行业的最新研究成果和国外微电子业界的发展动态。有关微电子学基础理论，微电子器件与电路, 集成电路，半导体工艺和制造技术，集成电路封装技术，多芯片组件技术，集成电路可靠性技术，片上系统，集成系统等领域的研究论文、技术报告、综合评述、产品应用等内容。该刊被重点检索刊物、数据库、期刊网站所收录，是中国核心期刊之一。
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    3D IC的热特性分析及预测

    罗山焱徐学良雷生吉左江渝...
    665-670页
    查看更多>>摘要：3D IC器件通过三维堆叠技术显著提升了系统的集成度,增加了系统的功率密度,同时也带来了显著的热管理挑战.为了更好地对3D IC器件进行热分析,对3D IC进行结构建模,通过热路分析的方法对最高层芯片温度进行了估计,在此基础上考虑TSV结构及不同TSV截面面积对芯片有源层温度的影响.最后,综合3D IC结构特征和热特性分析方法,基于MATLAB编写了3D IC的温度预测软件,并将该软件与商业COMSOL软件精度和效率对比,该软件优势在于,在满足一定的温度预测精度条件下,支持用户自定义3D IC的重要参数并迅速给出不同层芯片的温度预测和可视化表征,实现对不同的堆叠结构参数的3D IC器件进行快速地温度分析.

    硅通孔3DIC热特性

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    金凸点热超声倒装焊工艺研究

    李金龙张文烽赵光辉李双江...
    671-675页
    查看更多>>摘要：系统地研究了金凸点热超声倒装焊工艺参数,结果表明:焊接压力越大,芯片剪切强度越大,其随着焊接压力的提高而升高.压力不足会导致凸点形变量不足,与基板接触程度不足,压力过大会造成凸点严重变形,凸点已完全平坦化,沿四周过度扩展,焊接压力约为35～45 g/球比较合理;超声功率在40％及以上,剪切力趋于平缓,根据试验结果,使用的超声功率应该从"剪切力/超声功率"曲线的"上坡段"选取,约40％比较合理;随着焊接时间的延长,剪切力先增大,后逐渐减小,对焊接时间而言,过长的超声时间是无效的,反而会使本来已实现焊接的界面反复摩擦和塑性形变而损伤,结合强度降低,合理的焊接时间为1 s左右.经试验考察,当前的焊接工艺参数,在经历长寿命,以及比较严苛的温度应力之后,具有较好的可靠性.

    微电子封装倒装焊金凸点热超声倒装焊

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    SiP堆叠封装回流焊过程翘曲研究

    裴晓芳王熙文徐永恒
    676-681页
    查看更多>>摘要：SiP堆叠封装技术已经逐渐用于高密度、高性能的集成电路封装中.以SiP堆叠封装为研究对象,对回流焊堆叠工艺中封装的翘曲进行了仿真分析,研究了不同塑封厚度和塑封材料热膨胀系数对封装翘曲的影响.结果表明,在回流焊升温阶段封装整体翘曲呈现上凸变形,在回流焊降温阶段封装整体翘曲呈现下凹变形,且回流焊降温阶段封装翘曲最大.塑封厚度的增加可以减小在回流焊过程中封装产生的翘曲,而塑封料热膨胀系数的增加则会使封装翘曲变得更为严重.因此通过增加塑封厚度以及减小塑封料的热膨胀系数均可以有效减小回流焊过程中SiP堆叠封装产生的翘曲.

    回流焊SiP堆叠封装翘曲有限元分析

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    锡基端头片式元件导电胶粘接工艺研究

    何万波廖希异肖玲胡立雪...
    682-686页
    查看更多>>摘要：在微波集成电路和混合微电路行业,导电胶作为一种替代传统锡铅焊料的组装材料已得到广泛应用,其工艺可靠性成为了国内外微电子封装领域的研究焦点.本文就纯锡和锡铅端头片式元件的粘接工艺进行探索,深入分析和探讨了片式元件端头与导电胶之间脱粘的原因,采用XRF、SEM和EDS等手段对粘接面进行了表征,提出了脱粘机理:在加热过程中,松香与元件端头表面的氧化铅发生化学反应,造成元件端头氧化层"脱皮",从而导致开裂和脱落.

    导电胶粘接可靠性界面脱粘端头金属化层松香

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    一种基于空间应用的双极型基准电压源单粒子辐照机理研究

    郭传伟刘文韬彭克武雷旭...
    687-691页
    查看更多>>摘要：介绍了空间应用中一种双极型开关稳压器芯片,在单粒子辐照下芯片内部基准电压异常,继而导致整个芯片输出功能中断,且在单粒子脉冲结束后,芯片输出中断异常未恢复,需要重新断电再上电芯片才正常工作的情况.基于上述实验现象,从线路级分析器件在异常时候的工作情况,分析了单粒子辐照后器件级的辐照机理.通过芯片内部大电流EMMI实验,结合该双极型带隙基准电路,模拟了单粒子辐射效应造成芯片的异常工作状态.通过器件辐照机理分析和仿真复现,定位了基准电压源的薄弱部位,并从线路原理上给出了版图改进措施,以提升该基准电压源的抗单粒子辐照能力.

    带隙基准单粒子效应失效机理模拟集成电路

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    基于SiC MOSFET的抗辐射电源性能研究

    崔庆林明元张民明罗远杰...
    692-698页
    查看更多>>摘要：随着我国航天事业的蓬勃发展,以SiC等为代表的宽禁带导体的抗辐射能力成为当前国内外研究的热点.目前的大部分针对器件级单粒子烧毁、漏电流增加、阈值电压漂移等的研究和试验均在施加静态偏置条件下开展.本文首先针对SiC MOSFET开展器件级辐照效应研究,分析其单粒子辐照安全工作区间.在此基础上,本文进一步设计了抗辐射电源电路作为试验载体,验证SiC MOSFET在电源实际工况下的电、热、抗辐射性能.

    宽禁带半导体SiC辐射效应单粒子辐射抗辐射电源

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    温变环境下引脚互连结构长期可靠性研究及优化

    谢东周玉明黄军
    699-704页
    查看更多>>摘要：基于陶瓷基板-金属管壳引脚互连结构,通过温度循环试验与有限元仿真分析,得出了互连结构在温变荷载作用下的热应力分布图,研究结果表明:在长期温度循环试验后,互连结构产生裂纹的主要原因是焊锡、引脚与陶瓷基板之间热膨胀系数不匹配导致的应力积累.给出了引脚互连结构优化设计方案,通过仿真分析与试验研究,表明优化后的互连结构具有更高的长期可靠性.

    互连结构热应力长期可靠性有限元分析

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