首页期刊导航|电子工业专用设备
期刊信息/Journal information
电子工业专用设备
电子工业专用设备

赵璋

月刊

1004-4507

faith＿epe@sohu.net

010-64655251;64674511

100029

北京市朝阳区安贞里二区1号楼金瓯大厦418室

电子工业专用设备/Journal Equipment for Electronic Products Manufacturing
查看更多>>本刊为国内外公开发行的技术性刊物，以报道半导体设备及半导体产业链技术与材料为主要方向，以“公布新的科技成就，传播科技信息，交流学术思想，促进科技成果的商品化、产业化，为建设社会主义精神文明与物质文明服务”为本刊的为刊方针。发挥传媒优势，全方位服务于微电子行业的广大科技工作者。
正式出版
收录年代

    氧化镓材料及其制备方法与工艺现状

    胡凡谢添乐陈庆广黎昆...
    1-10,35页
    查看更多>>摘要：超宽禁带半导体材料-Ga2O3性能优越、制造成本低,在日盲紫外探测、电力电子器件、射频器件等领域优势明显.Ga2O3晶体及外延生长方面,日本拥有Novel Crystal Technology(NCT)和Flosfia两家可商业化量产的公司.NCT公司能采用导模法和垂直布里奇曼法生产150 mm(6英寸)单晶氧化镓.外延层生长方面,目前卤化物气相外延、雾滴-化学气相沉积技术均已实现100 mm(4英寸)外延片的量产.国内氧化镓晶体生长及外延层制备已有布局,并已掌握了导模法制备150 mm β-Ga2O3晶体生长以及HVPE法同质外延100 mm晶圆技术,镓仁半导体采用铸造法制备了150 mm非故意掺杂及导电型氧化镓(β-Ga2O3)单晶及衬底,但国内量产水平偏低.

    氧化镓晶体生长外延生长

      原文链接:
    • 维普
    • 万方数据

    200 mm SiC外延炉及同质外延工艺研究

    谢添乐李苹杨宇巩小亮...
    11-16,29页
    查看更多>>摘要：目前SiC产业正由150 mm(6英寸)向200 mm(8英寸)转型,为满足行业对大尺寸、高质量SiC同质外延片的迫切需求,采用自主研制的200 mmSiC外延生长设备在国产衬底上成功制备出150 mm、200 mm 4H-SiC同质外延片,并开发了适用于150 mm及200 mm的同质外延工艺,其中外延生长速率可大于60μm/h,在满足高速外延的同时,外延片质量优异,其中150 mm、200 mm SiC外延片厚度均匀性都可控制在1.5％以内,浓度均匀性均小于3％,致命缺陷密度小于0.3颗/cm2,外延表面粗糙度均方根Ra小于0.15 nm,各核心工艺指标均处于行业先进水平.

    碳化硅200mm外延炉化学气相沉积同质外延

      原文链接:
    • 维普
    • 万方数据

    垂直布里奇曼法制备碲化汞晶体技术研究

    段晋胜张红梅王宏杰
    17-20页
    查看更多>>摘要：介绍了碲化汞单晶材料的性能特点、应用领域、制备技术及面临的挑战.根据材料特性采用布里奇曼法设计和优化设备细节和核心工艺参数,分析了炉体核心材料、热场结构以及杂质去除技术和精确控制生长速度等对碲化汞晶体材料质量的影响,为设备和工艺优化积累了依据.展望了布里奇曼法制备碲化汞单晶的技术创新措施可以提高单晶体的质量和性能,推动相关领域的技术进步和产业升级.

    红外探测半导体光电材料碲化汞垂直布里奇曼法晶体生长

      原文链接:
    • 维普
    • 万方数据

    基于锗激光标识的正交实验设计

    康洪亮
    21-23页
    查看更多>>摘要：为了得到标识清楚且不损伤锗晶片特性的激光标识,借助于正交实验设计的方法,对激光平均输出功率值、脉冲激光频率和标刻速度对晶片进行了DOE(正交实验设计)和极差分析.通过极差分析得到4个影响因素的主次关系为激光发生器功率值>标刻速度>激光频率>空白(其余因素).得到标刻深度的最佳配方为标刻速度200 mm/s,激光发生器平均输出功率值46％,脉冲激光频率为18 kHz.此时标刻深度为230μm.

    锗片激光标识正交实验输出功率

      原文链接:
    • 维普
    • 万方数据

    基于CMP运行过程数据可视化分析系统的研究与实现

    贾若雨白琨李嘉浪
    24-29页
    查看更多>>摘要：Chemical Mechanical Polishing(CMP)工艺过程中产生大量运行数据,存在数据量庞大、数据种类复杂多样等特点.而且现有数据分析方法单一,造成数据资源浪费,限制研究人员对运行情况的掌握和优化.针对这些情况提出一种数据可视化分析系统,对运行数据进行实时存储,提出4种可视化视图,针对不同数据分析需求,通过对比分析、关联分析和用户交互,可有效帮助研究人员探索工艺过程中影响工艺效果的原因,优化工艺参数,提升生产效率.

    化学机械抛光可视分析用户交互

      原文链接:
    • 维普
    • 万方数据

    电子束曝光机子系统光柱控制器设计

    何远湘龙会跃梁文彬苏鑫...
    30-35页
    查看更多>>摘要：为了提高电子束曝光机光柱控制器稳定性和控制精度,通过多年研究提出了一套功能较为完备的新型光柱控制的硬件设计方案,通过对电子束聚焦、对中、偏转、扫描曝光等参数精准控制,将图形发生器产生各项数字信号变换成对应的模拟量,稳定地控制电子束对承放在激光工作台上的掩模基片进行扫描曝光,从而达到高质量生产.

    电子束曝光机光柱聚焦束闸偏转数模转换(DAC)转接

      原文链接:
    • 维普
    • 万方数据

    用于MLCC叠层工艺的设备设计与实现

    杨志马红雷
    36-40页
    查看更多>>摘要：简述了MLCC发展背景、制备流程,并基于叠层工序进行工艺需求分析,为满足这些需求设计了一种MLCC叠层机,包括收\放卷传输机构、剥离工作台、膜片搬运机械手、加压机构和收/放料机械手,探讨了叠层机的控制原理和主要逻辑动作,完成设备的电气控制与人机交互系统的设计实现,设备已取得了良好的实际应用效果.

    片式多层陶瓷电容器叠层机剥离工作台膜片搬运机械手

      原文链接:
    • 维普
    • 万方数据

    硅片双面研磨过程数学模拟及分析

    吴建光
    41-44页
    查看更多>>摘要：建立了双面研磨过程中硅片表面上的一点相对于研磨盘的运动模型;利用数学软件,模拟出不同速度下的运动轨迹.轨迹和实验结果表明,在其他双面研磨工艺不变的情况下,改变研磨机4个部分(游轮片的公转速度ωh、研磨大盘的转速ωp、内齿轮转速ωs和外齿轮转速ωr)的转速,对硅片表面的平整度有很大的影响,特别是边缘部分的局部平整度.优化4个转速,可以显著改善硅片表面的平整度和局部平整度.

    硅片双面研磨数学模拟轨迹

      原文链接:
    • 维普
    • 万方数据

    PTPC在化学机械平坦化中的应用

    白琨贾若雨岳爽李嘉浪...
    45-48页
    查看更多>>摘要：化学机械平坦化(CMP)在铜工艺中需要对晶圆形貌进行精准控制.精确调整过程控制系统(PTPC)利用传感器实时检测晶圆表面铜膜厚度,采用闭环控制实时调整研磨头分区压力.实现了比开环控制更加均匀的薄膜研磨过程,达到了均匀控制晶圆表面薄膜形貌的目的.介绍了PTPC系统的检测原理和控制流程.

    精确调整过程控制闭环控制压力晶圆表面薄膜形貌

      原文链接:
    • 维普
    • 万方数据

    微波探针台屏蔽腔体的设计及仿真

    李俊张世强荆茂盛
    49-53页
    查看更多>>摘要：从微波探针台用途及应用领域出发,介绍了微波探针台屏蔽腔体的作用及设计要求;通过使用CST软件中独有的精简模型仿真方法,对屏蔽腔体进行电磁仿真分析评估,并使用导电材料对其屏蔽效能进行了提升;最后对设备的特殊需求及后续发展进行展望.

    微波探针测试系统屏蔽效能电磁泄露风险仿真

      原文链接:
    • 维普
    • 万方数据