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期刊信息/Journal information
集成电路应用
集成电路应用

月刊

1674-2583

021-64850700-143

200223

上海宜山路810号

集成电路应用/
查看更多>>本杂志是我国电炉行业唯一一份杂志,更名后内容拓展到了工业炉窑、各种燃烧装置及远红外加热。杂志坚持科学性、先进性、导向性和实用型相统一的原则,报道电炉、工业炉及有关工业加热方面的科研成果和新技术、新材料、新设备、新工艺信息。
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收录年代

    基于单片机的超声波测距系统设计

    仝香
    30-32页
    查看更多>>摘要:阐述单片机超声波测距系统设计方案,以AT89S51单片机控制模块为基础,由超声波发射与接收电路、供电电源、报警电路构成.分析基于单片机设计的超声波测距系统软件特点,该系统经过安装与调试,性能良好,可以实现预期控制需求和非接触式测距.

    单片机AT89S51超声波测距系统

    基于STM32的光照均匀混色系统分析

    薛昶文杨晨
    33-35页
    查看更多>>摘要:阐述一种光照均匀的混色系统,它由积分球结构、基于STM32单片机的光强控制系统和多色LED构成.在电子学中,基于单片机和压控式的恒流源电路,设计光强控制系统用于多色LED驱动和光强控制.在光学系统中,基于蒙特卡洛光线追迹模型,对积分球光照均匀性进行验证,并确定所需的照明面积.实验表明,耦合电子学和光学子部件用于系统构造和性能测试,能得到良好的混色能力,并且单色光和混色光两者都具有出色的光照均匀性.

    单片机积分球LED照明混色

    基于蓝牙模块的智能浇花系统设计

    宋雪
    36-37页
    查看更多>>摘要:阐述一款基于Arduino开发板控制,连接蓝牙模块,由水泵、报警系统、土壤湿度和温度等传感器组成的智能浇花系统.可以实时检测盆栽温度、湿度、光照环境等数据,并上传至手机App监控.

    传感器蓝牙模块监控数据智能浇花

    基于0.15μm GaAs pHEMT工艺的低噪声放大器设计

    李成成陈珍赵唯一刘敏...
    38-40页
    查看更多>>摘要:阐述一款源极负反馈结构的低噪声放大器设计,它基于0.15μm GaAs pHEMT工艺,采用微带线进行反馈和双边匹配,极大程度改善电路的噪声、增益和稳定性.放大器采用单电阻偏置方式,实现2V单电源供电,静态电流为78.9mA.它的中心频率为2.4GHz,在2.1~2.7GHz频段内最大增益大于16dB,增益平坦度在±0.6dB内,实际噪声系数小于1.5dB,系统在全频带内非常稳定,可适用于无线系统接收端前端设计.

    电路设计低噪声放大器源极负反馈GaAs微带线

    人工智能技术对集成电路制造的影响分析

    倪韵
    41-43页
    查看更多>>摘要:阐述AI技术的发展对集成电路制造行业的宏观影响,分析AI技术对集成电路制造各环节的影响,包括对工艺整合、良率提高、掩膜光刻、蚀刻和清洗、薄膜技术、扩散技术等各个具体生产环节的影响.AI技术的发展对集成电路制造的影响将是革命性的.

    人工智能集成电路制造工艺整合良率提高

    利用Batch Implant机台离子注入dose梯度分布调控注入均匀性的技术分析

    庞宏庄国子明
    44-47页
    查看更多>>摘要:阐述发现batch implant机台所作业的wafer状况,在wafer面内存在规律性梯度差异的dose分布.基于wafer processing过程中的形变现象,通过fine tune beam line及优化diskangle条件,可以定量设计dose梯度分布情况.通过优化离子注入在wafer面内分布的dose对称性,可以有效改善离子注入均匀性.

    集成电路制造dose梯度Dose对称性离子注入均匀性

    含氮碱基缓蚀剂在铜研磨抛光后清洗液中的应用

    史筱超马丽王溯
    48-51页
    查看更多>>摘要:阐述对比不同缓蚀剂配方对铜dummy片表面腐蚀抑制的影响,并辅助不同温度、时间、浓度下的不同缓蚀剂腐蚀速率,提出含有含氮碱基缓蚀剂配方的优势.对比不同缓释剂配方的清洗效果、表面粗糙度、对PVA清洗刷表面划伤的影响,进一步验证含有含氮碱基缓蚀剂配方的PCMP样品,在碱性条件下表现最佳.可将晶圆表面铜层清洗干净,且对铜表面腐蚀起到有效抑制作用,降低表面粗糙度,延长Q-Time时间.分析PCMP处理后的晶圆表面SP2和XPS表征,验证Cu2O可以有效延长Q-time时间.

    集成电路制造PCMP缓蚀剂腐蚀晶圆清洗

    集成电路测试数据分析系统的设计与实现

    陈光胜
    52-56页
    查看更多>>摘要:阐述集成电路芯片测试数据治理的关键因素,探讨测试数据大规模化、测试数据多样性、测试数据一致性所面临的技术挑战,从而全面了解集成电路测试数据的数据质量重要性.通过案例分析,提出有效的实施策略.同时,围绕集成电路测试数据所面临的数据质量问题,挖掘数据质量特征,通过数据质量的主要评价标准及技术效果,提出和实施可行的数据治理方案.

    集成电路测试测试数据分析数据质量数据质量特征

    制备工艺对微电子器件中CsBi3I10薄膜质量的影响

    卞伟昊
    57-59页
    查看更多>>摘要:阐述通过一步溶液法制备微电子器件中有源层CsBi3I10薄膜,初步探索前驱液浓度和旋涂转速对于样品薄膜微结构的影响.实验表明,前驱液的浓度会影响薄膜表面均匀性,在其他实验条件不变的情况下,浓度过低或过高都会导致薄膜致密性较差,但是前驱液浓度对于薄膜的结晶取向和光学带隙影响不大.通过改变旋涂转速会影响溶剂的挥发速率,改变钙钛矿的结晶过程,进而导致薄膜颗粒尺寸和薄膜厚度的变化.

    电子器件半导体材料制备工艺

    FD-SOI器件中PMOS源漏区外延层形貌改善研究

    方精训吕健
    60-62页
    查看更多>>摘要:阐述FD-SOI器件中SiGe-RSD形貌不规则是导致Si Cap层被金属扎穿的原因.针对这一问题,对SiGe-RSD的制备工艺进行逐层(L1/L2/L3)优化,最终制备出形貌规则、表面平整的样品.随后的接触通孔工艺环节Si Cap层未被扎穿,形成良好的合金,器件PMOSFET的性能也得到明显提升.

    集成电路制造FD-SOI外延凸起源漏结构