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期刊信息/Journal information
电子与封装
中国电子科技集团公司第五十八研究所
电子与封装

中国电子科技集团公司第五十八研究所

王虹麟

月刊

1681-1070

ep.cetc58@163.com

0510-85860386

214035

江苏无锡市惠河路5号（208信箱）

电子与封装/Journal Electronics and Packaging
查看更多>>本刊是目前国内唯一以电子封装为主的技术刊物。
正式出版
收录年代

    基于不同键合参数的Cu-Sn-Cu微凸点失效模式分析

    张潇睿
    1-6页
    查看更多>>摘要：电迁移已经成为影响微电子产品可靠性最严重的问题之一,长时间电流负载下,互连金属凸点内部由于空洞、裂纹等缺陷导致产品失效风险提高.为了研究不同键合参数下互连金属微凸点的失效模式,基于CB-600倒装键合机,得到了不同键合质量的芯片,并在不同电流密度负载下进行试验,得到了凸点组织演变行为及失效模式,为产品实际使用过程中可能出现的问题提供了参考.

    键合参数失效模式微凸点可靠性

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    基于MATLAB的集成电路储能焊封装能量分布研究

    王旭光杨镓溢江凯邹佳...
    7-12页
    查看更多>>摘要：气密性是集成电路封装中的一项重要技术指标,对于集成电路的可靠性使用具有重要作用.就气密性封装工艺中的储能焊封装技术进行了讨论,通过对储能焊设备放电过程进行分析及建模,得到了气密性焊接能量与各个工艺参数之间的关系,并利用MATLAB软件进行了模拟计算.结合具体实验,验证了理论建模及模拟的正确性,对于储能焊焊接的工艺参数设定及优化具有一定的指导意义.

    储能焊电压电阻MATLAB

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    LTCC高精密封装基板工艺技术研究

    岳帅旗杨宇刘港周义...
    13-17页
    查看更多>>摘要：将激光修调、化学镀、光刻等技术与常规低温共烧陶瓷(Low Temperature Co-Fired Ceramic,LTCC)基板工艺技术相结合,对LTCC高精密封装基板的制作工艺进行开发和优化,并利用9K7材料进行了基板试制.结果 显示,基板表面线条细度达到(50±5)μm,表面导体图形位置精度优于±10 μm.基板表面Ni/Pd/Au镀层可焊性/耐焊性优良,2 mm×2 mm焊盘的锡铅焊接拉力强度达到2.8 kg以上,25 μm金丝的键合强度达到10 g以上.基板表面阻焊开口尺寸达到(80±10) μm,具有良好的阻焊性能.对试制的LTCC高精密封装基板进行了装配和测试,在12 mm×13 mm的尺寸上实现4颗射频芯片的倒扣装配,功能模块在W波段具有良好的射频性能.LTCC高精密封装基板显现出高密度、高性能封装能力.

    低温共烧陶瓷激光修调化学镀精密阻焊芯片倒装

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    QFN器件焊接缺陷分析与工艺优化

    刘颖吴瑛陈该青许春停...
    18-22页
    查看更多>>摘要：QFN器件具有良好的电气性能,但器件回流焊接过程中极易产生底部热沉焊盘焊接空洞、器件引脚间锡珠、桥连等缺陷,当一个印制板焊接多个QFN器件时,缺陷发生率颇高.在高可靠性要求的航天产品焊接过程中,器件返修次数有限制,且返修会造成器件性能下降、组件可靠性降低等问题,因此亟需对QFN器件一次装配良率和焊接效果进行提升优化.为此,从原理上分析QFN器件热沉焊盘焊接空洞、器件引脚间锡珠缺陷产生机理,并从产品焊盘工艺性设计、钢网模板设计、焊接温度曲线设计等方面开展分析与优化.优化后,QFN器件一次装配良率提高,没有产生锡珠、虚焊等缺陷.

    QFN焊盘设计钢网模板设计焊接温度曲线

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    基于梅花形点胶的表面安装元件粘接工艺改进

    吉美宁常明超
    23-26页
    查看更多>>摘要：高可靠混合电路与微系统器件中,表面安装元件的粘接工艺改进与优化一直是备受关注的重点.提出了一种梅花形的自动化点胶工艺,试验数据表明,通过改进点胶方式,优化粘接胶形貌,表面安装元件的粘接强度提高50％以上,粘接工艺的一致性得到了有效提升.该方法同时解决了表面安装元件的粘接位置偏差、端头包裹率不足等多方面问题,可推广至混合集成电路、MCM、SiP等器件内部表面安装元件的粘接工序中,对高可靠器件的封装改进具有重要的参考意义.

    梅花形表面安装元件点胶方式粘接工艺高可靠剪切强度工艺一致性

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    LDO失效分析及改善

    胡敏
    27-30页
    查看更多>>摘要：低压差线性稳压器(Low Dropout Regulator,LDO)新品导入中,过强的铜线焊接会使焊球下芯片层间电介质层(Interlayer Dielectric,ILD)产生裂纹,从而导致器件测试漏电流失效或可靠性失效.通过对芯片结构的分析,指出LDO漏电流失效的原因,同时详细讨论了如何确定合理的铜线焊接参数、如何检测失效以及失效分析步骤.

    低压差线性稳压器铜线焊接漏电流失效,可靠性ILD层裂纹

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    微波组件裸芯片开裂的机理分析

    李庆
    31-34页
    查看更多>>摘要：针对微波组件壳体内部裸芯片出现不同程度裂纹的现象,从微波组件的工艺材料、工装设计、装配工艺过程、试验过程等逐一进行机理分析,找出了微波组件内部裸芯片开裂的真正原因.并提出了类似于该微波组件的结构在试验安装方面的控制要点.

    工装筛选试验热膨胀系数

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    基于MicroTCA的数据传输板卡设计

    丁涛杰何劲驰郑利华朱柏杨...
    35-38页
    查看更多>>摘要：随着高能物理学的发展,粒子实验的能量越来越高,单位时间内产生的数据量也越来越大,粒子实验装置不仅要以极高的速度进行数据传输,还要有足够的开发潜力实现进一步的速度提升.相较于粒子实验装置现阶段普遍采用的并行传输,串行传输在速度提升上有着巨大的优势.为了满足粒子实验的需求,基于MicroTCA架构设计了一种用于数据传输的AMC板卡,详细介绍了设计方案和测试方案.AMC板卡以串行方式实现数据传输,速度可达5× 109 bit/s,既满足了需求,又有足够的开发潜力.

    AMCMicroTCA粒子实验

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    基于SiP技术的多片DDR3高速动态存储器设计

    张小蝶邱颖霞许聪邢正伟...
    39-44页
    查看更多>>摘要：基于系统级封装(System in Package,SiP)技术,结合自研自主可控DSP处理器"魂芯"Ⅱ-A和多片DDR3颗粒,详细介绍了一款高速动态存储控制一体化SiP设备的设计方案和仿真验证分析结果.重点介绍了此款SiP的电路拓扑设计、版图设计,并从拓扑结构波形仿真、DDR3时序裕量计算、与板级实现方案对比三方面对其PCB后仿进行了分析和验证,仿真结果符合规范要求,证明了所采用的Fly-By拓扑适用于CPU与多片DDR3颗粒所组成的一体化SiP设备,且SiP设备性能优于板级实现方案.

    DDR3高速电路SiP信号完整性Sigrity仿真

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    高可靠性的读写分离14T存储单元设计

    张景波朱亚男彭春雨赵强...
    45-51页
    查看更多>>摘要：为了提高航空航天设备的可靠性和运行速度,提出了一种新型读写分离的14T静态随机存储器(SRAM)单元.基于65 nm体硅CMOS工艺,对读写分离14T存储单元的性能进行仿真,并通过在关键节点注入相应的电流源模拟高能粒子轰击,分析了该单元抗单粒子翻转(Single Event Upset,SEU)的能力.与传统6T相比,该单元写速度、读静态噪声容限和位线写裕度分别提升了约5.1％、20.7％和36.1％.写速度优于其他存储单元,读噪声容限优于6T单元和双联锁存储单元(DICE),在具有较好的抗SEU能力的同时,提高了读写速度和读静态噪声容限.

    静态随机存储器高可靠性读写分离单粒子效应

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