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期刊信息/Journal information
电子工业专用设备
电子工业专用设备

赵璋

月刊

1004-4507

faith＿epe@sohu.net

010-64655251;64674511

100029

北京市朝阳区安贞里二区1号楼金瓯大厦418室

电子工业专用设备/Journal Equipment for Electronic Products Manufacturing
查看更多>>本刊为国内外公开发行的技术性刊物，以报道半导体设备及半导体产业链技术与材料为主要方向，以“公布新的科技成就，传播科技信息，交流学术思想，促进科技成果的商品化、产业化，为建设社会主义精神文明与物质文明服务”为本刊的为刊方针。发挥传媒优势，全方位服务于微电子行业的广大科技工作者。
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    显示驱动芯片封测工艺及其关键设备研究

    郑嘉瑞肖君军
    1-6页
    查看更多>>摘要：对显示驱动芯片技术及其封测工艺进行研究说明,重点对凸块制造、玻璃覆晶封装及薄膜覆晶封装工艺进行了详细研究;针对工艺特点,对关键设备技术和现状进行介绍,并展望了未来发展趋势.

    显示驱动芯片封测工艺关键设备

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    功率半导体发展与测试技术研究

    钟锋浩
    7-11页
    查看更多>>摘要：以GaN、SiC新材料功率半导体为代表的高性能功率器件和功率模块的出现,在太阳能光伏、风能、新能源汽车、高性能电源、储能、家电等领域广泛应用,其电压电流能力的提升,开关速度和功率密度的提升,对功率半导体的性能和可靠性提出了新的要求,对制造过程各阶段的测试要求也提出了新的挑战.通过分析新材料技术特点和生产工艺要求的研究,研究相关参数测试方法和测试流程,提出了降低功率模块制造成本、提高模块可靠性的基本要求和方法.

    功率半导体模块氮化镓(GaN)碳化硅(SiC)测试技术模块可靠性

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    振动响应传递率及其在光学精密设备中的应用

    关宏武赵宏宇景亚惠李龙飞...
    12-16,62页
    查看更多>>摘要：基于振动响应传递率的工作模态分析方法(operational modal analysis,OMA)相比于传统的试验模态分析方法(experimental modal analysis,EMA)不需要激励被测系统,因此具有测试步骤简单,应用场景广泛的优点.但当前基于振动响应传递率的工作模态分析方法还处于起步阶段,暂未形成统一的理论体系.为此,梳理和总结了基于传递率的工作模态分析方法的有关研究成果,并将其应用于光学精密设备的模态测试之中.

    工作模态分析方法振动响应传递率光学精密设备

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    用于SiC注入机的吸极系统设计

    袁卫华彭立波罗才旺游俊健...
    17-21页
    查看更多>>摘要：介绍了用于SiC注入机的离子束流吸极系统设计,吸极系统是一个三维可调的运动部件,吸极系统的电极板在X、Y、Z三轴伺服电机的驱动作用下实现3个方向精确可调;加载在电极板上的吸极高压和吸极抑制高压双重高压电场作用下,实现所需不同种元素离子或不同放电状态下的弧室内最优离子束流稳定的引出.

    碳化硅注入机吸极系统

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    电阻式SiC长晶炉中温控系统的设计及实验研究

    王宏杰王毅刘洪涛靳丽岩...
    22-26页
    查看更多>>摘要：通过对电阻式碳化硅(SiC)晶体生长设备和工艺研究,分析了电阻式长晶炉中温度控制的几种方法,通过对温度控制中关键技术的研究,提出了一种适合大尺寸电阻式碳化硅长晶炉温度控制的方案,并经过实践验证满足碳化硅晶体生长中对温场精确稳定性的控制要求.

    碳化硅晶体生长温度控制

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    基于SiC外延生长设备的压力系统设计

    巴赛胡凡胡志坤万胜强...
    27-31,41页
    查看更多>>摘要：为满足SiC外延炉设备运行中各腔室不同压力需求,同时实现工艺压力稳定控制,将SiC外延炉设备压力获得系统划分成工艺压力系统、高真空压力系统、超压防护系统和酸排系统,通过合理计算与选型设计了压力获得系统,并对关键工艺状态进行了试验对比.经过实际工艺验证,目前该压力获得系统已成功应用于SiC外延生长设备,系统功能完备、性能稳定.

    碳化硅外延压力系统真空压力系统

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    离子注入过程中的颗粒污染来源及管控措施

    申强刘鼎铭赵伟涵
    32-36,68页
    查看更多>>摘要：离子注入作为半导体制造中的关键工艺之一,其工艺过程中产生的颗粒污染已经成为影响器件性能和成品率的重要因素.通过分析离子注入工艺过程中颗粒污染的种类和来源,阐述了工艺过程中预防和管控颗粒污染的措施,并通过对比试验,分析了注入过程中扫描次数、定向台定向、机械手传片、片库抽泄真空和靶台压盖升降对圆片表面颗粒的影响程度,为离子注入过程中的颗粒污染控制提供依据和建议.

    离子注入颗粒污染控制措施

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    晶圆键合加热板研制与试验研究

    张红梅冯凯
    37-41页
    查看更多>>摘要：晶圆键合的关键技术为键合设备的热场设计,通过使用有限元和试验相结合的方法,设计并试制了一种可用于晶圆键合的圆形加热板;通过使用加热板以及真空钎焊的方式有效提高了加热丝的热传导效果,最终实现了表面温度偏差最大不超过1％的温度均匀性要求以及100 kN的承压性能.

    晶圆键合加热板温度均匀性真空钎焊

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    ICP深硅刻蚀工艺研究

    赵洋高渊宋洁晶
    42-46页
    查看更多>>摘要：深硅刻蚀工艺是MEMS器件制造过程中的关键工艺之一.加速度计的梳齿结构、滤波器及压力传感器的硅腔结构都是决定器件性能的关键工艺,均需要通过深硅刻蚀制备.梳齿的垂直度以及硅腔的侧壁平整度均会对器件的性能产生直接影响.针对深硅刻蚀工艺中出现的形貌问题进行分析,找到影响硅草、侧壁垂直度差、底部横向钻蚀、侧壁钻蚀等问题的工艺参数.最后通过工艺参数优化,对这些问题进行改善,从而获得理想形貌,满足器件性能要求.

    深硅刻蚀微机电系统刻蚀形貌感应耦合等离子刻蚀

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    基于接近接触式曝光机的暗场对准技术

    王振宇周卓跃李康平
    47-51页
    查看更多>>摘要：为了解决接近接触式曝光机实际生产过程中标记范围较小的问题,设计一种气缸控制结构.配合显微镜的升降和显微镜的光路,形成一套适用于接近接触式曝光机的暗场对准的软硬件技术,实现了暗场掩膜对准的成本降低,提升了接近接触式曝光机的对准效率和稳定性提升.

    曝光机暗场对准误差补偿

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