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微纳电子与智能制造
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微纳电子与智能制造/Journal Micro/Nano Electronics and Intelligent Manufacturing
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    晶圆微凸点技术在先进封装中的应用研究进展

    刘冰夏良贺京峰孔云...
    1-11页
    查看更多>>摘要：先进封装技术持续朝着连接密集化、堆叠多样化和功能系统化的方向发展,探索了扇出型封装、2.5D/3D封装、系统级封装等多种封装工艺.晶圆微凸点技术已被广泛应用于各种先进封装工艺中,是最重要的基础技术之一.本文介绍了微凸点制备的主要技术并进行优劣势比较,同时详述了锡球凸点和铜柱凸点两种不同的微凸点结构,为微凸点技术的更深入研究提供参考.最后,本文整理了微凸点技术在先进封装中的应用,并展望了未来的发展趋势.

    先进封装微凸点制备技术凸点结构

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    扇出型晶圆级封装翘曲仿真与控制研究进展

    朱炳皓
    12-18页
    查看更多>>摘要：对扇出型晶圆级封装晶圆重构工艺过程中翘曲产生的原因进行阐述,总结了近年来国内外翘曲仿真与控制的研究进展.从晶圆重构工艺所用的材料、设计的重构结构,以及重构涉及的模塑固化、减薄和解键合等方面的仿真分析结果,分析了翘曲的形成原因.此外,将晶圆重构仿真分析结果与实验测试结果进行对比.最后,对重构晶圆翘曲矫正未来的发展方向进行展望.

    扇出型晶圆级封装晶圆重构翘曲矫正有限元分析

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    射频前端滤波器研究

    邹维李鹏程张馨予程正旺...
    19-26页
    查看更多>>摘要：通信技术的持续发展对射频前端滤波器提出了低插入损耗、高带宽的技术要求.本文综述了几种射频前端滤波器的主要特点和前沿研究进展,包括功率容量大但体积也大的腔体滤波器;传输速度快但工艺受限的陶瓷滤波器;体积小、功耗低但不适用于高频的声表面波滤波器;目前主流的各方面性能良好但不适用于高带宽的薄膜体声波滤波器;较新的适用于高频和高带宽的横向激发体声波滤波器;能在单一基片上集成多种无源元件且以小型化和高集成度为特点的集成无源器件滤波器;以及可以构建三维集成电路且应用于汽车和航空航天领域的低温共烧陶瓷滤波器.从研究结果来看,薄膜体声波滤波器是目前综合性能最好也是最主流的滤波器,而横向激发体声波滤波器是具有探索价值的滤波器.

    通信技术射频前端滤波器综合性能

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    导电纤维的发展前景及应用

    李浩辰王进美董智勇陈彦成...
    27-37页
    查看更多>>摘要：导电纤维是将导电材料混合在高分子材料中而纺制的化学纤维和其他纤维.导电纤维通过与编织技术的完美结合,不仅展现了出色的电学性能,也具备了优良的机械强度和可塑性.然而,传统导电纤维存在可穿戴性较差、传感灵敏度较低以及结构形式较为单一等技术问题.因此,制备兼顾上述缺陷的高灵敏度导电纤维材料成为柔性电子技术领域一个快速发展的研究方向.根据近几年国内外有关导电纤维的研究结果,对其分类、制备方法和应用进行了评述.

    导电纤维智能纺织品制备方法发展前景柔性材料

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    基于自建测试平台的GaN基HEMT器件陷阱表征

    杜颖晨温茜冯士维张亚民...
    38-45页
    查看更多>>摘要：陷阱效应是影响GaN基HEMT器件性能的主要因素之一.为了提高陷阱表征的精度和时间分辨率,采用瞬态电压法并搭建了专用的测试平台对陷阱进行表征,抑制了电压漂移现象,将时间分辨率从毫秒级提升至微秒级,扩大了陷阱的表征范围,同时基于贝叶斯反卷积算法提取陷阱的时间常数等信息.基于这种方法研究了GaN基HEMT中陷阱在不同电压和温度下的捕获行为,表征其时间常数和激活能等信息.实验结果表明,该器件中存在4 种不同类型的陷阱,除了先前已经在B1505上证明的激活能分别为0.058、0.041 eV的陷阱DP2 和DP3,本文还发现了位于微秒级的新陷阱DP1,激活能为0.063 eV.本文通过搭建测试平台填补了微秒级陷阱表征的空缺,为陷阱的准确、快速表征提供了极大便利.

    GaN基HEMT陷阱表征瞬态电压法时间常数谱贝叶斯迭代自建测试平台

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    基于电感耦合互连的三维集成电路测试方法

    崔洋熊杰杨卓高浩...
    46-51页
    查看更多>>摘要：电感耦合互连是一种用于三维芯片堆叠封装的无线互连技术.与硅通孔技术相比,它能以更高的灵活性和更低的成本提供芯片间的高带宽通信.然而,在基于电感耦合互连的多芯片堆叠系统中,由于没有物理连接,芯片的功能测试较为困难.为确保信号传输的正确性和稳定性,还需要对电感耦合信号的传输质量进行测试.本文提出了基于电感耦合互连的三维芯片系统测试方法,包括片内自测、芯片层级自排序、片间互测的自测试以及对电感耦合的传输功率进行自动调优.本方法提高了无线三维芯片的可测试性和可显现性,降低了三维芯片测试成本,并提高了测试效率.

    集成电路电感耦合三维芯片堆叠三维片上网络可测试性设计互联网络

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    超薄型高容量刻蚀箔钽阳极电容器的制备

    赵吉平姚向华张洪兵葛小伟...
    52-58页
    查看更多>>摘要：埋入式电容技术在缩小设备体积、降低功耗和提升性能上具有巨大优势.然而,目前商用的电容器的电容密度小、厚度大、成本高或无法与印刷电路板制造相兼容,为了解决这个问题,提出了一种超薄型高容量刻蚀箔钽阳极电容器的制备工艺,以脉冲直流为电流源对钽箔进行电化学刻蚀,大幅提升了钽箔的比表面积,在 10 V电压下阳极氧化后的比容可达 550 nF/mm2.同时,以刻蚀钽箔为基底制备了高质量的钽阳极氧化膜,所形成的化成箔在 9 V电压下的漏电流密度仅为 24 nA/cm2.固态聚合物阴极由固态钽电容器在PEDOT:PSS的水分散液中浸渍多次而形成,所制备的固态钽电解电容器厚度不足 50 μm,且表现出优良的频率特性.其等效串联电阻(100 kHz)低至 19.2 mΩ,约为日本松下聚合物钽电容器的 1/5,在 1～100 kHz频率范围内的电容量保持率可达 75.5%,与日本松下聚合物钽电容器相比提升 55%以上.基于电化学刻蚀的箔式钽电解电容器将进一步推动钽电解电容器的小型化和轻薄化发展,并为埋入式电容技术开辟新的思路.

    埋入式电容器钽电解电容器电化学刻蚀超薄高比容

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    用于AR显示技术的亚波长Al光栅的ICP刻蚀工艺研究

    吴必昇周燕萍上村隆一郎左超...
    59-64页
    查看更多>>摘要：铝材料因其良好的光反射率和低热线性膨胀系数,被广泛应用在增强现实设备的光栅光波导中.采用ULVAC公司生产的电感耦合等离子体(ICP)刻蚀设备NE-550对Al材料进行了干法刻蚀工艺的研究.实验中采用SiO2作为刻蚀掩膜,Cl2/BCl3气体作为工艺气体,通过对实验工艺参数的调整,探究了ICP 源功率、射频偏压功率、腔体压强以及气体流量对Al的刻蚀速率、与上层掩膜的选择比的影响.最后通过优化工艺参数,得到了底部平整、侧壁垂直的栅槽结构.此研究为亚波长尺度的光栅刻蚀工艺的优化和技术突破提供了参考.

    电感耦合等离子体刻蚀亚波长光栅金属铝硅基液晶增强现实

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    敏感器件封装成品率提高案例研究

    夏培雄刘小红马书嫏
    65-69页
    查看更多>>摘要：随着器件沟道尺寸的减小,为了获得更好的性能参数,器件工艺窗口变得越来越窄.与此同时,单MOSFET(metal oxide semiconductor field effect transistor)封装缺少静电保护电路.对于敏感器件的封装,异常的电气参数时有出现.通过使用FMEA(failure mode and effects analysts)和DOE(design of experiments)等质量工具,确认该问题与封装键合顺序和黏合剂有关.通过调整键合顺序和更换所使用的黏合剂,有效地解决了敏感器件封装低良的问题.该案例为同行业提供了借鉴.

    敏感器件键合顺序黏合剂封装良率

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    一种用于情绪调控的脑机音乐接口方法

    陈邢玥钟慧毛旭瑞潘秋平...
    70-77页
    查看更多>>摘要：为了改善受失眠困扰人群的失眠症状,将脑机接口前沿技术和音乐治疗这一心理治疗手段相结合,提出了一种区别于传统药物治疗的解决方案,用以干预抑郁、焦虑状态.本文采用自主研发的音乐协同电刺激耳机系统进行临床试验,选取 60 例受失眠困扰的志愿者作为研究对象,开展为期 10 天的干预治疗.获取志愿者的脑电图、近红外脑功能成像数据及其填写的量表信息,对比分析干预前后的数据,验证了音乐协同电刺激耳机系统能够在一定程度上达到提升入睡速度、改善失眠症状、调节异常脑电波形的效果.此外,志愿者均无不良反应,表明该耳机系统兼具有效性和安全性.

    脑机音乐接口情绪调控音乐治疗经颅直流电刺激

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