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期刊信息/Journal information
电子工业专用设备
电子工业专用设备

赵璋

月刊

1004-4507

faith＿epe@sohu.net

010-64655251;64674511

100029

北京市朝阳区安贞里二区1号楼金瓯大厦418室

电子工业专用设备/Journal Equipment for Electronic Products Manufacturing
查看更多>>本刊为国内外公开发行的技术性刊物，以报道半导体设备及半导体产业链技术与材料为主要方向，以“公布新的科技成就，传播科技信息，交流学术思想，促进科技成果的商品化、产业化，为建设社会主义精神文明与物质文明服务”为本刊的为刊方针。发挥传媒优势，全方位服务于微电子行业的广大科技工作者。
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    基于Modbus通讯协议的PLC运动控制研究

    左宁胡奇威袁丽娟
    1-7,19页
    查看更多>>摘要：在基于Modbus通讯协议的PLC运动控制系统中,PLC作为主站,通过Modbus协议与从站设备(如变频器、电机控制器等)进行通讯.探讨了如何在上位机工控软件中通过Modbus通讯协议与PLC运动控制器及PLC输入输出模块进行数据交换以及逻辑程控.

    Modbus通讯协议上位机PLC控制模块电机控制器

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    干式抛光在减薄加工中的工艺研究

    孙莉莉衣忠波王刚
    8-11页
    查看更多>>摘要：介绍了干式抛光的工艺过程和原理,主要研究了干式抛光工艺过程中抛光压力、抛光位置、抛光时间对晶片表面粗糙度的影响.提出减小晶片表面粗糙度的工艺措施,为减少后续抛光工序的抛光时间提供指导.

    干式抛光粗糙度工艺研究

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    基于V90伺服的机器人夹具在掩膜版行业的应用

    许鹏亮熊启龙
    12-19页
    查看更多>>摘要：设计并实现了一种新型掩膜版机器人夹具,并将其成功应用于光刻掩膜版(Photomask)制造车间自动化产线中.该新型夹具采用了以Simens V90 伺服作为夹具执行机构的解决方案,同时为了满足对无尘车间高洁净度的要求和对产品安全性保护,夹具采用整体封装设计,选用 2个伺服电机分别驱动夹具的上夹爪和下夹爪.下卡爪B 伺服电机采用Speed的模式,实现绝对位置控制;上卡爪A 的伺服电机采用EPOS模式,实现力矩保护控制.方案设计、安装和使用结果表明该夹具稳定可靠,实现了对不同规格的MASK产品的高度兼容,在保证产品安全抓取的同时也能最大化地减少产品接触面积,从而减少对产品的污染,满足对无尘车间高洁净度和对产品安全性抓取转运的需求.

    掩膜版V90伺服西门子1500PLC机器人夹具

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    10kV与20kV系统在半导体项目上的设计要点分析

    李伟杰
    20-26页
    查看更多>>摘要：半导体作为国家目前发展的重点,新建了很多 200 mm(8 英寸)和 300 mm(12 英寸)的半导体项目,而半导体项目自身又具有高用电需求的特点,所以针对 10 kV和 20 kV不同电压等级对技术要点进行分析和研究是十分必要.分别对 10 kV和 20 kV的电力系统方案进行分析,并对短路电流计算进行理论试算,归纳所对应的设备选型所对应参数,并结合实际案例分析比较所对应的站房需求和结构柱网型式,最终得出两种电压等级下所对应的设计要点,为其他设计人员在后续设计中提供借鉴.

    电压等级半导体短路电流设计要点

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    碳化硅基器件碳膜保护层的制备与研究

    孔令通肖晓雨佘鹏程黄也...
    27-32,67页
    查看更多>>摘要：碳膜沉积工艺是集成电路碳化硅器件制造过程中一道关键工艺,通过在碳化硅表面沉积碳膜,有效防止碳化硅器件在高温退火后的表面荒化,避免器件失效.通过磁控溅射法在碳化硅基底上制备碳膜,探索不同的参数对碳膜的影响,得到了表面光滑、均匀性小于 2%的碳膜.通过表征,证实碳膜与碳化硅基底有很好的结合力,在实际生产中沉积的碳膜对碳化硅器件起到了保护作用,有效地保证了产品良率.

    碳化硅集成电路碳膜沉积工艺磁控溅射法物理气相沉积

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    红外器件钝化膜专用磁控溅射系统镀膜工艺研究

    刘杰黄也袁祖浩佘鹏程...
    33-38页
    查看更多>>摘要：为研究工艺参数对碲镉汞红外器件单层钝化膜工艺影响规律,采用红外器件钝化膜专用磁控溅射系统设备作为实验载体,通过仿真优化指导设计磁控溅射阴极靶,加快实现磁控溅射靶的制备;并采用仿真与实验相结合的方法研究靶基距、靶偏置角度等工艺参数对镀膜均匀性的影响规律,获得较优的一组工艺参数值,为钝化膜工艺形成稳定、均匀性较好的膜层提供理论指导,为进一步研究双层钝化膜层奠定基础.

    碲镉汞红外器件钝化膜磁控溅射工艺参数均匀性

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    酸腐蚀工艺对硅片表面粗糙度的影响

    于妍康洪亮张贺强田原...
    39-41,70页
    查看更多>>摘要：为了缩减工艺成本,提高硅片表面光泽度,降低表面粗糙度,降低表面金属含量,提高生产效率,对HNO3∶HF∶CH3COOH混合酸体系的反应机理进行了分析,通过改变酸腐蚀去除量,腐蚀液温度等工艺参数可有效控制超薄硅片腐蚀反应速度,降低表面粗糙度,提高表面光泽度.发现去除量达到 100 μm 以后,表面粗糙度可达到 0.065 μm,同一条件下,腐蚀液温度为 45℃时,表面粗糙度最小,反射率最高.

    单晶硅片酸腐蚀粗糙度

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    SiC外延生长设备感应电源电磁干扰及防护措施设计

    周立平陈国钦熊峥鲁彤...
    42-45,62页
    查看更多>>摘要：在SiC外延生长设备的研制过程中,出现感应电源对设备其它部件存在电磁干扰,影响数据采集的稳定性和真实性,不利于设备控制的稳定性.分别从干扰现象、干扰机理、防护措施对问题进行阐述、分析和解决.

    SiC外延半导体设备电磁干扰防护措施

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    微波表面波等离子天线的电磁仿真

    刘晓玲
    46-51页
    查看更多>>摘要：针对天线阵列激发电磁场的特性,通过矩形波导上使用槽天线来激发表面波等离子体(SWP)的方式构建了三维模型,并在HFSS软件上进行了仿真测试.仿真结果证实,槽天线由矩形波导转换的圆形波导传输,波导的长度和槽的数量都会影响微波能量耦合.在优化的天线结构中,谐振器中的电场强度比未优化的天线结构中的电场强度高一到两个数量级,并且具有更好的空间均匀性.验证了理论与仿真结果的一致性,先前的实验结果也可以部分验证仿真的正确性.总之,新的天线阵列可以帮助形成柱等离子体并增强其均匀性.

    表面波等离子体槽天线均匀性

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    基于S形速度曲线的键合头运动控制系统研究与分析

    高岳
    52-57页
    查看更多>>摘要：根据用户工艺需求,针对全自动芯片键合设备的运动控制模块以及键合头子模块开展需求分析,结合典型试验,设计出基于S形速度曲线的键合头运动控制系统,根据S形速度曲线重新规划了键合头的运动轨迹,使其对芯片键合周期缩短的同时也保证了键合精度.

    运动控制模块键合头S形速度曲线

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